[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，在将多种场效应晶体管集成化的半导体集成电路装置中，对各种场效应晶体管的沟道渗杂区掺有不同浓度的杂质。

2.一种半导体集成电路装置，其特征在于，在将两种绝缘栅型场效应晶体管集成化的半导体集成电路装置中，取第二绝缘栅型场效应晶体管的沟道掺杂区中的杂质浓度为第一绝缘栅型场效应晶体管的沟道掺杂区中杂质浓度的2至10倍。

3.如权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，所述第一绝缘栅型场效应晶体管是N沟道高耐压MOS晶体管；所述第二绝缘栅型场效应晶体管是N沟道型MOS晶体管。

4.一种半导体集成电路装置的制造方法，是一种将第一和第二绝缘栅型场效应晶体管集成化的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包含：在半导体衬底上形成所述第一绝缘栅型场效应晶体管和第二绝缘栅型场效应晶体管的区域形成栅绝缘膜的工艺；对形成所述第二绝缘栅型场效应晶体管区域上的沟道掺杂区有选择地进行掺杂的工艺；通过有选择地除去形成所述第二绝缘栅型场效应晶体管区域上的所述栅绝缘膜，在所述第一绝缘栅型场效应晶体管的形成区上形成第一栅绝缘膜的工艺；在所述第二绝缘栅型场效应晶体管的形成区上形成第二栅绝缘膜的工艺；分别形成由半导体或金属等导电性膜构成的所述第一绝缘栅型场效应晶体管的第一栅电极及第二绝缘栅型场效应晶体管的第二栅电极的工艺。

5.一种半导体集成电路装置的制造方法，是一种将第一绝缘栅型场效应晶体管和第二绝缘栅型场效应晶体管集成化的半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，形成源极和漏极的扩散区的工艺包含：将第一及第二栅电极作为掩膜边使半导体衬底旋转边自对准地以40～50度的仰角离子注入N型杂质的工艺；在所述第一及第二栅电极的侧壁形成隔层的工艺；取所述第一及第二栅电极和所述侧壁隔层作为掩膜，自对准地离子注入N型杂质的工艺。