[发明专利]三维微结构光寻址电位传感器

权利要求书

1、三维微结构光寻址电位传感器，包括在硅单晶片(6)上的下电极(11)，在下电极(11)上有绝缘层(12)，敏感膜(13)复合在绝缘层上，发光器件(5)放置在下电极的下部，偏置电压(1)与参比电极(2)相连，其特征是参比电极(2)与硅单晶片(6)平行并构成微型腔体，在所述微型腔体内流过待测电解质溶液或生物溶液。

2、按权利要求1所述的三维微结构光寻址电位传感器，其特征是硅单晶片(6)上的下电极(11)是尖锥状。

3、按权利要求1或2所述的三维微结构光寻址电位传感器，其特征是硅单晶片(6)有一对应尖锥(11)的光源窗口，薄区厚度为15—25微米。

4、按权利要求1所述的三维微结构光寻址电位传感器，其特征是腔体有进口(9)和出口(10)。

5、按权利要求1所述的三维微结构光寻址电位传感器，其特征是尖锥(11)上复合有绝缘层SiO₂(12)和敏感膜Si₃N₄(13)。

6、按权利要求1所述的三维微结构光寻址电位传感器，其特征是所说的发光器件(5)为发光二极管或光纤导光。