[发明专利]片式半导体封装及其制造方法无效
申请号: | 97103780.9 | 申请日: | 1997-04-10 |
公开(公告)号: | CN1092841C | 公开(公告)日: | 2002-10-16 |
发明(设计)人: | 柳仲夏;车基本 | 申请(专利权)人: | LG半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种片式半导体封装,包括:
其上形成有多个芯片焊盘的半导体芯片;
多根导电连线,其内端与所述半导体芯片的相应一个芯片焊盘垂直并直接固定,其外端形成圆球;
包围整个半导体芯片仅使导电连线的外端的圆球突出于外的模制树脂。
2.根据权利要求1的半导体封装,其特征在于,固定在芯片焊盘上的导电连线的所述内端成形为不规则的椭圆形焊球。
3.一种制造片式半导体封装的方法,包括以下步骤:
将至少一根导电连线的内端直接固定在形成于一个半导体芯片上的一芯片焊盘上;
切掉部分导电连线,使之有预定长度;
密封除导电连线外端外的整个半导体芯片;及
对突出于模制树脂之外的导电连线外端进行处理以形成预定形状。
4.根据权利要求3的方法,其特征在于,导电连线外端的处理是利用电弧放电进行的。
5.根据权利要求3的方法,其特征在于,导电连线外端的处理是通过压制导电连线的突出外端进行的。
6.根据权利要求5的方法,其特征在于,使用焊头来进行所述压制。
7.根据权利要求5的方法,其特征在于,导电连线外端的处理是利用超声热压焊进行的。
8.根据权利要求9的方法,其特征在于,超声热压焊工艺中使用焊头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造