[发明专利]等离子体增强电化学表面陶瓷化能量控制方法

权利要求书

1、等离子体增强电化学表面陶瓷化能量控制方法，该方法包括在电解质溶液中，通过电能使在作为阳极的金属基体表面等离子弧光放电，进行电化学阳极氧化，形成具有陶瓷结构的膜层，其中，所述的电解质溶液以六偏磷酸钠(10-50g/l)、硼酸及/或硼砂(5-20g/l)为主，还含有至少一种选自正磷酸钠、硫酸钠、硅酸钠、偏钒酸铵、偏钒酸钠、铬酸钠、钨酸钠、硫酸钴、硫酸镍、硫酸铁、硫酸锰、硫酸铬的含氧酸盐，并可选择加入选自钙、锌、钴、镍的醋酸盐、氟硅酸、氟化钾、乙二胺四乙酸的添加剂，弧光放电电压为100-400V，电流密度为0.5-20A/dm²，电解质溶液温度为10-50℃，其特征在于采用三相桥式断续周波全控整流，控制可控硅的导通角和单位时间内导通的周波数，使作用于工件表面的微等离子体能量(即烧结能量)得到控制，所选用的导通周波数分别为37.5个/秒、75个/秒、150个/秒、300个/秒，且在整个工艺过程中根据烧结能量的不同控制范围对导通周波数进行选择和控制，可控硅的导通角在0-170°内变化，烧结能量控制范围为50W/dm²·s-600W/dm²·s。

2、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为300个/秒和150个/秒，控制烧结能量为90-150W/dm²·s，其中300个/秒占10-20％时间，150个/秒占80-90％的时间。    

3、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为75个/秒和150个/秒，控制烧结能量为120-240W/dm²·s，其中150个/秒占10-20％时间，75个/秒占80-90％的时间。

4、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为150个/秒和75个/秒，控制烧结能量为110-230W/dm²·s，其中150个/秒占10-15％时间，75个/秒占85-90％的时间。

5、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为150个/秒和75个/秒，控制烧结能量为50-300W/dm²·s，其中150个/秒占5-15％时间，75个/秒占85-95％的时间。

6、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数75个/秒和150个/秒及300个/秒，控制烧结能量为200-440W/dm²·s，其中前期10-15％时间为150个/秒，中期55-65％时间为75个/秒，后期20-30％时间为300个/秒。

7、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为75个/秒和150个/秒，控制烧结能量为140-320W/dm²·s，其中75个/秒占10-30％的时间，150个/秒占70-90％的时间。

8、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为300个/秒、150个/秒和75个/秒，控制烧结能量为110-260W/dm²·s，其中前期10-15％时间为300个/秒，中期70-75％时间为150个/秒，后期15-20％时间为75个/秒。

9、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为300个/秒和75个/秒、150个/秒，控制烧结能量为80-150W/dm²·s，其中前期5-10％时间为300个/秒，中期70-75％时间为75个/秒，后期10-20％时间为150个/秒。

10、权利要求1所述的方法，其特征在于选择导通周波数为37.5个/秒和75个/秒及150个/秒，控制烧结能量为90-600W/dm²·s，其中前期45％时间为37.5个/秒，中期20-45％时间为75个/秒，后期10-35％时间为150个/秒。