[发明专利]微型半导体桥式整流器及其制法无效
| 申请号： | 97104255.1 | 申请日： | 1997-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1197989A | 公开（公告）日： | 1998-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘天明 | 申请（专利权）人： | 强茂股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/16 | 分类号： | H01G9/16;H01G13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微型 半导体 整流器 及其 制法 | ||
1、一种制造一微型半导体桥式整流器的方法，其特征在于包括如下步骤：
(a)制备一共N型双二极体晶粒，
(b)制备一共P型双二极体晶粒，
(c)将该共N型晶粒的一P型区与共P型晶粒的一相对应N型区焊接于一第一组导线架的一端子电极上，并使该共N型晶粒之另一P型区与共P型晶粒之另一N型区焊接于该导线架之另一端子电极上，以及
(d)将该共N型晶粒的N型区与该共P型晶粒的P型区分别焊接至一第二组导线架之两端子电极上。
2、按权利要求1所述的方法，其特征在于，该步骤(a)包括：
(a1)在一N型硅晶圆上扩散出一P-N接合面，
(a2)使用掩膜及蚀刻技术使该P-N接合处外露而形成一含有两P型区的共N型双二极体硅晶粒结构，
(a3)将已蚀刻的区域予以被覆，以及
(a4)将该硅晶粒结构的P型区与N型区施以金属化。
3、按照权利要求1所述的方法，其特征在于，该步骤(b)包括：
(b1)在一P型硅晶圆上扩散出一P-N接合面，
(b2)使用掩模及蚀刻技术使该P-N接合处外露而形成一含有两N型区的共P型双二极体硅晶粒结构，
(b3)将已蚀刻之区域予以被覆，以及
(b4)将该硅晶粒结构的P型区与N型区施以金属化。
4、一种微型半导体桥式整流器，包括：
一共N型的双二极体晶粒，以及
一共P型的双二极体晶粒，
其特征在于，该共N型晶粒的一P型区与共P型晶粒的一相对应N型区系连接到一第一组导线架的一端子电极，共N型晶粒之另一P型区则与共P型晶粒的另一N型区连接至该导线架的另一端子电极，且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接至一第二组导线架之两端子电极，从而构成一桥式整流器。
5、按照权利要求4所述的微型半导体桥式整流器，其特征在于，该共N型双二极体晶粒系以如下步骤形成：
(a1)在一N型硅晶圆上扩散出一P-N接合面，
(a2)使用掩模及蚀刻技术使该P-N接合处外露而形成一含有两P型区的共N型双二极体硅晶粒结构，
(a3)将已蚀刻的区域予以被覆，以及
(a4)将该硅晶粒结构的P型区与N型区施以金属化。
6、按照权利要求4所述的微型半导体桥式整流器，其特征在于，该共P型双二极体晶粒系以如下步骤形成：
(b1)在一P型硅晶圆上扩散出一P-N接合面，
(b2)使用掩膜及蚀刻技术使该P-N接合处外露而形成一含有两N型区之共P型双二极体硅晶粒结构，
(b3)将已蚀刻的区域予以被覆，以及
(b4)将该硅晶粒结构的P型区与N型区施以金属化。
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