[发明专利]用能量场进行三维物体制造成型的方法和系统无效
申请号: | 97104397.3 | 申请日: | 1997-05-27 |
公开(公告)号: | CN1167300A | 公开(公告)日: | 1997-12-10 |
发明(设计)人: | 张文武;颜永年;冯静;王巍;王允 | 申请(专利权)人: | 中国航天工业总公司第一研究院第十三研究所 |
主分类号: | G06F17/00 | 分类号: | G06F17/00;B22D23/00;B22D45/00;B29C67/00 |
代理公司: | 中国航天工业总公司第二研究院专利代理事务所 | 代理人: | 岳洁菱,许可英 |
地址: | 100854 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能量 进行 三维 物体 制造 成型 方法 系统 | ||
1.一种用能量场进行三维物体制造成型的方法,其特征在于通过控制电路(2),由CAD信息抽取系统、含相关软件的计算机(1)和Z向面型能量场发生器(3)、XY向面型能量场发生器(4)组成了虚模具系统,通过对三维CAD信息进行分层处理,在XY向和Z向生成与当前加工面一致的能量场,作用于能因外界激励发生物态变化的成形材料(6),当前层固化后,协调变化XY向和Z向虚模具系统生成新位置的能量场,进行下一层的加工,如此重复,实现整体造型。
2.根据权利要求1所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于面型能量场发生器分为直射式和透射式两种。
3.根据权利要求1所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的能量场包括机械力、电磁场、光场、声场、重力场、粒子束和温度场。
4.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的能量场发生器采用多单元能量场发生器拼接与控制形式。
5.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的能量场发生器XY向为行列双向寻址面型能量场发生器,Z向仅为行寻址的面型能量场发生器。
6.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的能量场发生器XY向为行列双向寻址的面型能量场发生器,Z向为机械升降式。
7.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的能量场发生器XY向为行列双向寻址的面型能量场发生器,Z向为条状能量场发生器机械升降式。
8.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的能量场发生器XY向为行列双向寻址的面型能量场发生器,Z向为能束反射式。
9.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的成形材料(6)包括液态光敏树脂材料,可烧结的粉末材料,薄片状材料和逻辑性功能材料。
10.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的直射式能量场发生器采用带存储单元的有源矩阵控制电路与能量源的整体集成形式。
11.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的直射式面型能量场发生器为由选通与保持电路单元(8),连接单元(9),面阵型能量源(10)和输出单元(11)组成的分层结构形式。
12.根据权利要求11所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的直射式面型能量场发生器中的选通与保持电路单元(8)包括在非晶硅基体材料上和多晶硅基体材料上生成的薄膜电路形式。
13.根据权利要求11所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的直射式面型能量场发生器中的选通与保持单元(8)包括场效应管电路形式和晶体管电路形式。
14.根据权利要求11所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的直射式面型能量场发生器中的连接单元(9)包括微导线阵列结构和导电膜结构。
15.根据权利要求11所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的直射式面型能量场发生器中的输出单元(11)所用微管阵列包括PbO玻璃管阵列、光纤管阵列和C60纳米管阵列。
16.根据权利要求2所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的透射式面型能量场发生器(3)、(4)由面型光源3a、4a、匀光板3b、4b和面阵型光阀3c、4c组成。
17.根据权利要求16所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的透射式面型能量场发生器的面阵型光阀包括液晶光阀。
18.根据权利要求16所述的一种用能量场进行三维物体制造成型方法的系统,其特征在于所述的透射式面型能量场发生器的XY向面型能量场发生器(3)、(4)中的液晶光阀采用带存储单元的有源矩阵电路驱动。
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