[发明专利]高频用介质陶瓷组成及制备工艺

说明书

本发明是涉及Nb₂O₅-ZnO-Bi₂O₃三元系介质陶瓷及制备工艺，更确切地说是涉及该三元系中的一个新组成区域，它可用于高频用温度稳定及温度补偿电容器，属于介质陶瓷领域。

70年代初，中国学者发现了Nb₂O₅-ZnO-Bi₂O₃三元系，它可作为高频用温度稳定及温度补偿电容器的介质陶瓷材料，至今已有许多报道，大致可归纳于表1。表1已报道的高频用Nb₂O₅-ZnO-Bi₂O₃三元系介质陶瓷材料

  序号  发明人    组成烧结温度(℃)     材  料  物  理  性  能ε_y tanδ(％)T_ε(ΔC/C)    1M.F.Yan等    U.S.pat. No.4638401 Bi₂(Zn Nb_2(1+d))_vO_3+6v+5dv    0.6＜y＜1.0,    -0.05＜d＜0.05 1125 80-90(1MHz)0.03-0.05(1MHz)    2 H.C.Ling M.F.Yan等J.Mater.Res.Vol.5.No.8(1990),1752-1762 xBi₂(ZnNb_2(1+d))_yO_3+6y+5dy+(1-x)Bi₃(Ni₂ Nb)O₉ 0.6＜y＜1.0  -0.05＜d＜0.05 x=0-1.0 920 71-126(1MHz)0.03-0.05(1MHz)ΔC/C可调节    3 WanZ.P.Proceedings of the 37th ECC(1987)p413-419 Bi₂(Zn_x Nb_1.50)O_6.75+x    (x=0.8-1.0)Bi₂(Zn_0.8Nb_x)O_3.8+2.5x    (x=0.72-0.82)75-140＜0.5-75～+60 ppm/℃    4姚熹等J.Am.Ceram.Soc.Vol.76 No.8(1993)p2129-32 Bi_x(Zn_2/3Nb_4/3)O_4+3/2x Bi_x(Zn_8/3-xNb_4/3)O_6+x/2 Bi_x(Zn_2-2x/3Nb_2-x/3)O₇    (x=1-2)≥980 80-150(100K)-500～+160 ppm/℃5 S.L. Swartz U.S.Pat.No.5449652 Bi₂(Zn_2/3 Nb_4/3)O₇+Bi_4/3(Zn_2/3 Nb_4/3)O₆二者的比例可调950-1100 80-145(100K)＜0.02％(100K)-360～+200 ppm/℃