[发明专利]带有稳压管的双极型集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种带有稳压管的双极型集成电路的制造方法，包括普通双极型集成电路制造工艺，该制造工艺中含有基区推进步骤，其特征在于采用二步注入法；一次形成双极型晶体管基区；另一次是用不同剂量形成稳压管的一极，并控制注入量和掺杂区深度以确定稳压管的稳定电压值。

2.根据权利要求1所述的带有稳压管的双极型集成电路的制造方法，其特征在于所说的稳压管的注入量和掺杂区深度控制，其步骤依次是基区推进、稳压管光刻、稳压管注入和稳压管推进，且上述步骤推进时间等于普通双极型集成电路制造工艺中总的基区推进时间。

3.根据权利要求1所述的带有稳压管的双极型集成电路的制造方法制成的带有稳压管的双极型集成电路，包括一个半导体基片，该基片为第一导电型的衬底，表面上经外延生长第二导电型的外延层，该外延层经过隔离即构成双极型第二导电型晶体管的集电极或第一导型晶体管的基极，其特征在于，该外延层上某些区域经掺杂制造出一些第一导电型的区域，这些区域构成第二导电型晶体管的基极和第一导电型晶体管的集电极和发射极以及稳压二极管的一个电极。

4.根据权利要求3所述的带有稳压管的双极型集成电路，其特征在于所说的基极掺杂浓度和稳压管的电极的掺杂浓度不同，稳压管电极区的掺杂浓度和结深由稳压管的稳定电压要求值而决定。