[发明专利]铁电元件及其制备方法

权利要求书

1 一种具有上电极、铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜具有长周期结构的屏蔽层。

2 一种具有上电极、铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜为钙钛矿结构，其化学结构式为：

(AO)²⁺(B_y-1CyO_3y+1)^2-      (化学式42)

A＝Tl，Hg，Ce，Y，Pr，Nd，Pm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，La，Sm，

B＝Bi，Pb，Ca，Sr，Ba中的至少一种或多种，

C＝Ti，Nb，Ta，W，Mo，Fe，Co，Cr，Zr中的至少一种或多种，

Y＝2、3、4、5。

3 一种具有上电极、铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜为钙钛矿结构，其化学结构式为：

(PbO)²⁺(B_y-1CyO_3y+1)^2-    (化学式3)

B＝Ca，Sr，Ba中的至少一种或多种，

C＝Ti，Nb，Ta，W，Mo，Fe，Co，Cr，Zr中的至少一种或多种，

Y＝2、3、4、5。

4 一种根据权利要求1-3中任一种的铁电薄膜，其中所述铁电薄膜相对于下电极为(100)取向或(010)取向。

5 一种根据权利要求1-3中任一种的铁电薄膜，其中所述铁电薄膜相对于下电极为(110)取向。

6 一种根据权利要求1-3中任一种的铁电薄膜，其中所述铁电薄膜相对于下电极为(001)取向。

7 一种根据权利要求1-3中任一种的铁电薄膜，其中所述铁电薄膜相对于下电极其晶体C-轴倾斜至45°取向。

8 一种根据权利要求4的铁电薄膜，其中相对于下电极为(100)取向或(010)取向的所述铁电薄膜的比率不小于70％。

9 一种根据权利要求5的铁电薄膜，其中相对下电极为(110)取向的所述铁电薄膜的比率不小于80％。

10 一种根据权利要求6的铁电薄膜，其中相对于下电极为(001)取向的所述铁电薄膜的比率不小于70％。

11 一种根据权利要求7的铁电薄膜，其中相对于下电极其晶体C-轴倾斜至45°取向的所述铁电薄膜的比率不小于90％。

12 一种具有上电极，铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜为钙钛矿结构，且具有长周期结构的屏蔽层。

13 一种具有上电极、铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜为钙钛矿结构，其化学结构式为：

(Bi_2-xAxO₂)²⁺        (B_y-1CyO_3y+1)^2-

                  (化学式44)

A＝Tl，Hg，Sb，As，

B＝Bi，Pb，Ca，Sr，Ba，Y和稀土元素中的至少一种或多种，

C＝Ti，Nb，Ta，W，Mo，Fe，Co，Cr，Zr中的至少一种或多种。

0＜X＜2，

Y＝1、2、3、4、5。

14 一种具有上电极，铁电薄膜和下电极的铁电元件，其中所述铁电薄膜为钙钛矿结构，其化学结构式为：

(Bi_2-xPb_xO₂)²⁺(B_y-1CyO_3y+1)^2-

                   (化学式45)

B＝Bi，Pb，Ca，Sr，Ba，Y和稀土元素中的至少一种或多种，

C＝Ti，Nb，Ta，W，Mo，Fe，Co，Cr，Zr中的至少一种或多种，或者Ti，Nb，Ta，W，Mo，Co，Cr中的至少两种或多种，

O＜X＜2，

Y＝1、2、3、4、5。