[发明专利]在至少一个底物表面上生成一层的方法和设备

权利要求书

1.一种在至少一个底物(2)表面(20)上生成一层(6)的方法，其中，a)在底物(2)的表面(20)上的沉积温度(T₂)调整为至少900℃，b)过程气流(5)从一个其温度(T₁)低于沉积温度(T₂)的空间区(22)流向底物(2)表面(20)，c)在底物表面(20)上通过化学气相沉积(CVD)从过程气流(5)中沉积出层(6)，d)过程气流(5)在至少即将冲击在底物(2)表面(20)上之前，至少基本上对准与重力(G)反向平行的方向。

2.如权利要求1所述的方法，其中，至少一个底物(2)的表面(20)，至少基本上垂直于重力(G)定位。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，至少一个底物(2)绕一条预定的旋转轴线旋转。

4.如上述任一项权利要求所述的方法，用于沉积出单晶碳化硅或单晶氮化镓的层(6)。

5.一种通过化学气相沉积(CVD)由一种过程气流(5)在至少一个底物(2)表面(20)生成一层(6)的设备，该设备有a)加热装置(3、4)，用于在底物(2)表面(20)产生至少900℃的沉积温度(T₂)，b)气体导流装置(16、18)，用于将过程气流(5)从一个其温度(T₁)低于沉积温度(T₂)的空间区(22)，导向底物(2)的表面(20)，使得过程气流(5)至少在即将冲击底物(2)表面(20)之前，至少基本上对准与重力(G)反向平行的方向。

6.如权利要求5所述的设备，其中，加热装置包括a)至少一个与此至少一个底物热耦合的基座(3)，以及b)一个感应加热装置(4)，用于感应加热此至少一个基座(3)。

7.如权利要求6所述的设备，其中，感应加热装置(4)与至少一个基座(3)互相配置为，使一个通过感应加热装置(4)作用在此至少一个基座(3)上的电磁力(F_EM)，其方向至少基本上平行于重力(G)。

8.如权利要求6或7所述的设备，其中，感应加热装置至少包括一个感应线圈(4)。

9.如权利要求8所述的设备，其中，此至少一个基座(3)设置在感应线圈(4)与至少一个底物(2)之间。

10.如权利要求9所述的设备，其中，基座(3)在其背对感应线圈(4)的一侧，为每一个底物(2A至2F)至少设有一块插入式夹板(12A至12E)，用于固定此至少一个底物(2A至2F)。

11.如权利要求10所述的设备，其中，基座(3)设计为，使每一个底物(2A至2F)通过其自重固定在插入式夹板(12A至12E)中。

12.如权利要求9至11中任一项所述的设备，其中，基座(3)支承在支杆(13)上。

13.如权利要求5至9中任一项所述的设备，有至少一个支承装置(7、8、9)，用于支承至少一个底物(2)和至少一个基座(3)。

14.如权利要求13所述的设备，其中，支承装置包括一个支承盘(9)，它为每一个底物(2A至2F)各设有一个孔和一个围绕此孔的支承面(92A至92F)，基座(3)可以装在此支承盘内。

15.如权利要求14所述的设备，它有一根支杆(11)，支承盘(9)支承在支杆(11)上。

16.如权利要求12或15所述的设备，其中，支杆(11、13)至少在其表面由相对于过程气流(5)为惰性的材料构成。

17.如权利要求12或15所述的设备，它具有用于至少部分采用惰性气流(50)冲洗支杆(11、13)的装置。

18.如权利要求5至17中任一项所述的设备，它有旋转装置(21)，用于使至少一个底物(2、2A至2F)绕预定的旋转轴线旋转。

19.如权利要求5至18中任一项所述的设备，其中，此至少一个底物(2)的表面(20)设置为至少基本上垂直于重力(G)。

20.如权利要求5至19中任一项所述的设备，其中，气体导流装置包括扩散器(18)，过程气流(5)通过它流动。