[发明专利]薄膜电阻器的制造方法

说明书

本发明涉及一种电子制品中所用薄膜电阻器的制造方法及材料，尤其是指能以有效与合乎经济的方式对微电子制品，例如但不限于混合电路微电子制品的薄膜电阻部件，例如但不限于薄膜电阻片中所用薄膜电阻器的制造方法及材料。

微电子制造技艺常用薄膜电阻作为电路中的无源电路元件和/或承载电路元件。膜薄电阻器可被用于微电子制品，包括但不限于集成电路微电子制品及混合电路微电子制品的电路中。

如用于集成电路微电子制品之中时，通常是以本技术习用的方法，在半导体基底上形成绝缘，再对绝缘层上形成的薄膜电阻材料覆盖层以光蚀刻方式成型，从而，形成薄膜电阻器，然后再将此等半导体基底的各部份分开，以形成分立的集成电路晶片。同样地，若用于混合电路微电子制品之中时，通常是以本技术习用的方法，对绝缘基底，例如但不限于玻璃绝缘基底与陶瓷绝缘基底上形成的薄膜电阻材料覆盖层以光蚀刻方式成型，从而，形成薄膜电阻器，然后，再将此等绝缘基底的各部份分开，以形成分立的薄膜电阻晶片。

形成集成电路微电子制品或混合电路微电子制品所用的薄膜电阻器时，相关技术经常是在形成一道薄膜电阻材料光蚀刻成型层后，便以聚焦激光光束修整该薄膜电阻材料的光蚀刻成型层的各部份，以便使该薄膜电阻材料形成一道修整和成型的光蚀刻成型层，其后再由其形成一集成电路晶片中的一集成薄膜电阻器，或一分立薄膜电阻晶片中的一分立薄膜电阻器。

在绝缘基底以光蚀刻成型法及激光修整法来形成分立薄膜电阻器，其后再将绝缘基底分开以供形成可在混合电路微电子制品中使用的分立薄膜电阻晶片的用法，虽已成为混合电路微电子制品工艺所常见的用法，但此用法并非毫无问题。尤其与集成电路制品工艺比较时，后者除了在一集成电路中会形成一道成型薄膜电阻层外，通常还会利用光蚀刻成型法在该集成电路中另形成若干成型层或成型区，所以在形成一混合电路微电子制品中所用的分立薄膜电阻晶片时，利用光蚀刻法所形成的成型层经常只有：(1).一道成型薄膜电阻层；和(2).一对与该成型薄膜电阻层接触的成型导体引线层。因此，在制造分立薄膜电阻晶片时，往往不能将光蚀刻装置和材料有效地用来形成分立薄膜电阻晶片，以致最后会增加该等分立薄膜晶片的制造成本。

在绝缘基底上使用光蚀刻法来形成成型薄膜电阻层与成型导体引线层，其后再将该等绝缘基底分开而形成分立薄膜电阻晶片的用法，其另一项结果是绝缘基底通常必须提高其表面平坦度及光洁度，以便该等绝缘基底在习用的光蚀刻装置中能正确对齐，随后，再以其形成成型薄膜电阻层以及与该等薄膜电阻层接触的成型导体引线层。提高绝缘基底的平坦度及光洁度，也会增加以习用光蚀刻方法及装置来形成分立薄膜电阻晶片的制造成本。

因此，所要达到的目标便是提供一种分立薄膜电阻器的形成方法，除了使其可用于混合电路微电子制品中所用的分立薄膜电阻晶片外，还能：(1).免除与形成该等分立薄膜电阻晶片所习用的光蚀刻方法、材料及装置有关的制造成本；和(2).免除与形成分立薄电阻器以供用于分立薄膜电阻晶片所习用的绝缘基底在提高其表面平坦度与光洁度有关的制造成本。

在本技术中可找到种种与薄膜电阻器的设计和制造有关的公开技术，最常见的一些均是指薄膜电阻材料和使用该等薄膜阻材料来制造薄膜电阻器的方法，其中所形成的薄膜电阻器均展现出已予改良和受控的性质，例如但不限于薄片电阻性，热电阻系数(TCR)和热稳定性等。详情请参阅，例如：(1).颁给Yamazaki等人的第4,042,479号美国专利(以氮化钽铝薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；(2).颁给Yamazaki等人的第4,063,211号美国专利(以矽化钽薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；和(3).颁给Yamazaki等人的第4,338,145号美国专利(以钽铬合金薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；(4).颁给Pau-lson等人的第4,510,178号美国专利(以矽化钽/氮化钽薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；(5).颁给Hall的第5,023,589号美国专利(以掺金镍铬合薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)；和(6).颁给Krause等人的美国第4,987,010号专利(以电浆增强式化学汽相淀积(PECVD)超大涂布的白金薄膜电阻材料形成的改良薄膜电阻器)。

本发明也想找出其它的方法和材料，以供形成可在混合电路微电子制品中所用分立薄膜电阻晶片内使用的分立薄膜电阻器，其中除了可形成该等分立薄膜电阻器外，还能：(1).避免采用各种光蚀刻的方法、材料和装置；和(2).避免使用高度抛光的绝缘基底；为求达到前述各目标，特此提出本发明，且具备以下的特色及效果。