[发明专利]羟基镓酞菁化合物及其制备方法

说明书

本发明涉及一种新的羟基镓酞菁化合物，其制备方法，用这种化合物的电照相感光元件，和带这种感光元件的电照相成像设备和处理盒。

这里，酞菁染料不仅作为着色剂而且作为构成电照相感光元件，太阳能电池，光敏元件的电材料。

另一方面，利用电照相的打印机近年来已广泛用作终端打印机。这些打印机基本上是用激光为光源的激光束打印机。作为光源，考虑到成本和体积半导体激光器广泛采用。目前使用的半导体激光器的发射波长在790-820nm的长波长范围内，结果发展了对这种长波长有足够感光性的电照相光导元件。

电照相光导元件的感光性决定于电荷生成材料，已研究了包括金属酞菁和非金属酞菁的对长波长感光的电荷生成材料，如铝氯酞菁，氯化铟酞菁，氧化钒酞菁，羟基镓酞菁，氯化镓酞菁，锰酞菁，和氧化钛酞菁。

我们知道这些酞菁中的许多有多种晶型。例如，公知的非金属酞菁有α型，β型，γ型，δ型，ε型，χ型，ι型，等等，而铜酞菁公知的有α型，β型，γ型，ε型，χ型等等。这些酞菁化合物的具体例子在例如日本申请专利公开(JP-A)50-38543,JP-A-51-108847和JP-A53-37423中公开。

至于羟基镓酞菁，在JP-A5-263007和JP-A-6-93203中公开了几个晶型。但是，用这种羟基镓酞菁化合物制得的电照相感光元件在高速和高图像质量电照相工艺，感光性，在反复使用中的电位稳定性，和响应于白光的贮存特性不令人满意。

本发明的基本目的是提供一种羟基镓酞菁(化合物)的新的晶型。

本发明的另一目的是提供一种用这种羟基镓酞菁并对长波光呈现高感光性和在重复使用时电位变化小的电照相感光元件。

本发明的另一目的是提供一种即使长期用可见光照射也无光记忆的电照相感光元件。

本发明的又一个目的是提供一种包括这种电照相感光元件的处理盒和电照相设备。

按本发明，提供一种羟基镓酞菁其晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)。

按本发明的另一方面，提供一种制备羟基镓酞菁的工艺，包括下列步骤：

处理卤代镓酞菁以转换成水合羟基镓酞菁，

将水合羟基镓酞菁冷冻干燥成低结晶度的羟基镓酞菁，和研磨该低结晶度的羟基镓酞菁。

按本发明，还提供一种电照相感光元件，包括：电导支撑，和至少形成在该电导支撑体上的含上述羟基镓酞菁的感光层。

按本发明，也提供一种电照相设备，包括：上述的电照相感光元件，对感光元件充电的充电装置，将感光元件成像暴光以在感光元件上形成静电潜像的成像暴光装置，用调色剂将感光元件上的静电潜像显影的显影装置。

本发明还提供一种处理盒，包括：上述的电照相感光元件和将感光元件充电的充电装置以形成一个整体，它可拆卸地安装到电照相设备的主体上。

通过下面结合附图对本发明的优选实施例的说明本发明的上述和其它目的，特征和优点将更加清楚，其中类似的部件用类似的参数注明。

附图说明

图1-4分别是本发明的电照相设备的实施例的示意图。

图5是例1中得到的氯化镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。

图6是例1中得到的低结晶度的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。

图7是例1中得到的具有本发明晶型的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。

图8是例2中得到的具有本发明晶型的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。

图9是例2中得到的具有本发明晶型的羟基镓酞菁晶体的红外吸收光谱图。

图10是比较例1中得到的低结晶度的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。

图11是例1中得到的羟基镓酞菁晶体的粉末X射线衍射图。

本发明的羟基镓酞菁有一为下式代表的化学结构，特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰(即最高峰)的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)：

其中X1,X2,X3和X4分别代表Cl或Br，而n,n,p和k分别代表0-4的整数。

本发明的羟基镓酞菁除了有在28.1度的峰外，在布拉格角为7.3度，24.9度等也有峰，但这些峰都比在28.1度的峰低。

通过在电照相感光元件中用这种羟基镓酞菁为电荷生成材料，可以得到对长波光有高感光性，有优异耐用性和改进了的记忆特性的电照相感光元件。