[发明专利]半导体器件及其装配方法无效

专利信息
申请号: 97111651.2 申请日: 1997-04-10
公开(公告)号: CN1091950C 公开(公告)日: 2002-10-02
发明(设计)人: 大内伸仁;山田悦夫;白石靖 申请(专利权)人: 冲电气工业株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/495
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 萧掬昌,王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 装配 方法
【说明书】:

本发明涉及半导体器件及其装配方法,特别是涉及树脂模制型半导体器件及其装配方法,其中,用合成树脂模制和密封半导体芯片,引线部分,连线及诸如此类的部件。

通常,在1986年的日本专利申请公开No.61-218139等文献公开了半导体器件。

图8是常规树脂模制型半导体器件的剖面图。

如图8所示,树脂模制型半导体器件具有半导体芯片1,绝缘带2,引线3,金属镀层4,球状焊点5,连线6,模制树脂7。

树脂模制型半导体器件具有LOC(芯片上引线)结构,它利用绝缘带2把引线3粘贴到半导体芯片1的表面上。

对于这样的树脂模制型半导体器件,当半导体芯片(片状器件)1变大时,封壳和半导体芯片1之间的距离变窄。由于封壳不能做大,因为装有半导体芯片1的封壳尺寸是标准化的尺寸,尽管半导体芯片1能做大,但封壳尺寸不变。

存在下述问题,即在装配半导体衬底时由于加热使半导体器件本体产生裂缝8。半导体器件保持在空气中,水份被其吸收,且在装配衬底时因加热使该水份蒸发,蒸汽的力量引起裂缝8。

特别是绝缘带2易于吸收水份,因此在许多情况下绝缘带2引起裂缝8。

绝缘带2也妨碍半导体器件做得较薄。

因此,本发明的目的是解决上述问题,提供半导体器件及其装配方法,其能防止半导体器件破裂和使半导体器件做得更薄。

为达到上述目的,按照本发明的半导体器件包括半导体芯片;引线部件,设置方式是使其头部的一侧表面和半导体芯片的表面接触;连线,用于电连接半导体芯片和引线部件的另一侧面;粘贴部件,用于粘合引线部件1的一侧面和半导体芯片周边表面;封壳,由合成树脂浇铸半导体芯片,引线部件的一部分,连线,粘贴部件模制形成。

按照本发明的半导体器件,利用粘贴部件粘合引线部件一侧面和半导体芯片的周边表面,所以,利用粘贴部件不增加半导体芯片的厚度,能使半导体器件做得较薄。

并且,粘贴部件设置成使半导体芯片的周边部分和引线部件的一侧面相互粘合,因此,使粘贴面积较小。结果,能够减小水的吸收和在装配衬底时几乎不发生树脂破裂的现象。

半导体器件的另一方案是,提供半导体器件,它包括半导体芯片;引线部件,引线部件设置成使其头部的一侧面和半导体芯片表面接触,并在一侧面设有凹面;连线,用以电连接半导体表面和引线部件另一侧表面;粘贴部件,用其粘合引线部件一侧面和角隅部分,该角隅部分包括一半导体芯片的一部分表面和一部分周边表面;一封壳,由合成树脂浇铸半导体芯片,引线部件的一部分,连线,和粘贴部件。

按照本发明另一方案的半导体器件在引线部件设置凹面部分,因此,把粘贴部件设置在凹面部分和把引线部件贴合到半导体芯片的角隅部分。这样使粘合面积变大,能够保持粘合强度。并且,不使粘贴部件脱离出去。

此外,最好使引线部件设置一个从凹面部分延伸到引线部件的末端的凹槽。

由于引线部件设置凹面部分和与其类似的凹槽,则把粘贴部件粘合到凹面部分和凹槽中。这样,把半导体芯片中心部分粘贴到引线部件的一侧面上。结果,粘合面积变大,能够保持粘合强度。并且不使粘合部件脱离出去。

为了实现上述目的,按照本发明的半导体器件装配方法包括下述步骤:(a)确定要贴合到引线部件的粘合剂数量;(b)把预定数量的粘接剂粘合到引线部件的一侧面上;(c)通过粘接剂把引线部件的一侧面和半导体芯片边缘部分粘合在一起;(d)通过干燥粘接剂来固定引线部件和半导体芯片;(e)利用连线来电连接半导体芯片和引线部件;(f)用合成树脂形成浇铸,半导体芯片,引线部件和连线。

按照本发明半导体器件的装配方法,把预定数量的粘接剂加到引线部件的一侧面上,然后粘合引线部件一侧面和半导体芯片的边缘表面。这样获得了薄的和树脂几乎没有破裂的半导体器件。    

通过下面的结合附图进行叙述,本发明的其它目的和优点将显而易见,其中

图1是表示按照本发明第1实施例的树脂模制型半导体器件的剖面图;

图2(a)到图2(c)是表示按照本发明的树脂模制型半导体器件装配方法的简图;

图3(a)到图3(b)是表示树脂模制型半导体器件另一种装配方法的简图;

图4是表示按照本发明树脂模制型半导体器件的剖面图;

图5是表示按照本发明第2实施例树脂模制型半导体器件引线框架的局部平面图;

图6是表示按照本发明第3实施例的树脂模制型半导体器件的剖面图。

图7是表示按照本发明第3实施例树脂模制型半导体器件的局部平面图。

图8是常规树脂模制型半导体器件的剖面图。

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