[发明专利]形成半导体器件中芯柱的方法无效
| 申请号： | 97111874.4 | 申请日： | 1997-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1097302C | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 崔璟根 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 中芯柱 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成半导体器件中芯柱的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在形成了绝缘层的硅衬底上形成接触孔；
在包括所述接触孔的整个结构上形成阻挡金属层，所述阻挡金属层是通过依次淀积钛(Ti)和氮化钛(TiN)形成的；
在所述阻挡金属层上形成第一金属层，所述第一金属层由铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)组成的集合形成；
在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层由氮化钛(TiN)、钌(Ru)、氧化钌(RuO2)、氮化钨(WN2)组成的集合形成；
腐蚀所述第二金属层的一部分，以在所述接触孔侧壁的所述第一金属层上形成第二金属层隔离层；
在包括所述第二金属层隔离层的所述第一金属层上形成第三金属层，直到所述接触孔被完全掩埋为止，并且第一和第三金属层由相同的材料形成；以及
腐蚀所述第三和第一金属层，以暴露形成于所述绝缘层上的所述阻挡金属层，从而在所述接触孔内形成金属芯柱。
2.根据权利要求1的形成半导体器件中芯柱的方法，其特征在于，在低于所述第一金属层的淀积温度下形成所述第三金属层。
3.根据权利要求1的形成半导体器件中芯柱的方法，其特征在于，按第一、第二和第三金属层总厚度的七分之一到三分之一的厚度形成所述第一金属层。
4.根据权利要求1的形成半导体器件中芯柱的方法，其特征在于，按约100-500埃的厚度形成所述第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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