[发明专利]内联式集成非晶硅太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 97112322.5 | 申请日: | 1997-06-17 |
公开(公告)号: | CN1202742A | 公开(公告)日: | 1998-12-23 |
发明(设计)人: | 周启财;陈钢;周帅先 | 申请(专利权)人: | 深圳日月环太阳能实业有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 三高专利事务所 | 代理人: | 胡湘根 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内联 集成 非晶硅 太阳能电池 制造 方法 | ||
1、一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于,该工艺方法按下列步骤进行:
①、丝网印刷涂覆抗腐蚀涂层
首先用丝网印刷等办法在透明导电膜(2)ITO上印上抗腐蚀油墨涂层(8);
②、激光蚀刻
用YAG激光将抗腐蚀涂层(8)刻去三个沟槽(5)(图4),用化学腐蚀法将ITO刻成四个矩形(9);
③、沉积,Pin层,刻槽
用SiH4,Plasma气相沉积法沉积PIN非晶硅层(3),清洗掉抗蚀剂后,用倍频后的TAG激光在非晶硅层(3)上距ITO沟槽(5)0.1-0.2mm处平行地刻4个沟槽(5);
④、真空涂铝,丝网印覆涂层
最后在上面用真空蒸发的办法全面蒸发上铝,并用丝网印刷等办法覆盖上一层抗腐蚀涂层(7),并用YAG激光在抗蚀涂层(7)上距非晶硅层上的沟槽(5)0.1-0.2mm处平行地刻4个沟槽(6)(图7),沟槽(6)间距B=0.4mm;
⑤、清理
用热磷酸钙将裸露的铝腐蚀掉成分裂的铝电极,最后清除掉抗蚀剂,印上背面保护层字符及可焊电极,即可成为成品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的