[发明专利]内联式集成非晶硅太阳能电池的制造方法无效

专利信息
申请号: 97112322.5 申请日: 1997-06-17
公开(公告)号: CN1202742A 公开(公告)日: 1998-12-23
发明(设计)人: 周启财;陈钢;周帅先 申请(专利权)人: 深圳日月环太阳能实业有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20
代理公司: 三高专利事务所 代理人: 胡湘根
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 内联 集成 非晶硅 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法,其特征在于,该工艺方法按下列步骤进行:

①、丝网印刷涂覆抗腐蚀涂层

首先用丝网印刷等办法在透明导电膜(2)ITO上印上抗腐蚀油墨涂层(8);

②、激光蚀刻

用YAG激光将抗腐蚀涂层(8)刻去三个沟槽(5)(图4),用化学腐蚀法将ITO刻成四个矩形(9);

③、沉积,Pin层,刻槽

用SiH4,Plasma气相沉积法沉积PIN非晶硅层(3),清洗掉抗蚀剂后,用倍频后的TAG激光在非晶硅层(3)上距ITO沟槽(5)0.1-0.2mm处平行地刻4个沟槽(5);

④、真空涂铝,丝网印覆涂层

最后在上面用真空蒸发的办法全面蒸发上铝,并用丝网印刷等办法覆盖上一层抗腐蚀涂层(7),并用YAG激光在抗蚀涂层(7)上距非晶硅层上的沟槽(5)0.1-0.2mm处平行地刻4个沟槽(6)(图7),沟槽(6)间距B=0.4mm;

⑤、清理

用热磷酸钙将裸露的铝腐蚀掉成分裂的铝电极,最后清除掉抗蚀剂,印上背面保护层字符及可焊电极,即可成为成品。

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