[发明专利]用于形成半导体装置的电容器的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体装置的电容器的方法，包括下列步骤：

于一半导体基片上形成一整平的绝缘膜，并依据使用一储存电极接触掩模的蚀刻制程而于该绝缘膜内形成一接触孔；

于形成该接触孔后所获结构上沉积一用于储存电极的多晶硅层，并依据一使用一储存电极掩模的蚀刻制程而对该多晶硅层加图案，藉此形成一多晶硅层图案；

去除存在于该多晶硅层图案上的自然氧化物膜；

使用一含所需比例的NH₄OH与H₂O₂与H₂O溶液而表面处理该多晶硅层图案，藉此于该多晶硅层图案上形成具一均匀厚度的薄氧化物膜；

于该氧化物膜上形成一半球形硅晶粒层；

藉由使用储存电极掩模，去除无用的半球形硅晶粒；及

于该半球形硅晶粒层上依序形成一电介质膜与一用于板极的多晶硅层。

2.如权利要求10所述之方法，其中该半球形硅晶粒层是在550至585℃的温度下形成为1000埃或以下的厚度。

3.如权利要求10所述之方法，其中该自然氧化物膜的去除可使用一氟化氢与H₂O的溶液而进行。

4.如权利要求10所述之方法，其中该自然氧化物膜的去除可使用一由喷洒氟化氢与H₂O₂所形成的氟化氢蒸气而进行。

5.如权利要求10所述之方法，其中该自然氧化物膜的去除可使用一含氟化氢与NH₄F的缓冲氧化物蚀刻剂而进行。

6.如权利要求10所述之方法，其中该薄氧化物膜的去除可使用一含NHO₃与H₂O₂的混合溶液而进行。