[发明专利]磁记录介质

说明书

本发明涉及磁记录介质，其中的磁层是把金属磁薄膜以真空蒸发(即斜入射蒸发)沉积于非磁性基上形成的。

近来，随着信息记录系统从模拟记录系统向数字记录系统过渡，对磁记录介质的更高密度记录作为信息记录手段的需求增加了。

为了通过使磁道更窄和使线记录密度更高来实现更高的表面记录密度，至关重要的是要在波长较短的区域得到磁记录介质的更高输出和更低噪声。

实现磁记录介质的更高输出的一种尝试是依赖于构成磁层的铁磁材料中固有的磁能，并已达到了技术极限，这使其进一步改进是困难的。

当利用金属薄膜作为磁记录介质的磁层时，产生噪声的机制存在于微观区域(电子显微镜区域)中，例如磁薄膜的晶体结构、磁相互作用或其他类似机制，实现更低的磁记录介质噪声处于期望未来技术发展的领域。

特别是，实现更低噪声是实现更高记录密度的最重要技术问题。

在数字记录中，由于噪声以C/N比率的形式对误差率有很大影响，实现更低噪声以及减少数据的信息丢失是保证数据可靠性的重要技术要素。

如图1所示，当用真空蒸发使由金属磁薄膜构成的磁层24形成于非磁性基23上时，由于真空设备的结构，使得蒸发材料或其反应物形成的柱21(所谓柱状晶体)沿对角线方向增长。

柱21有致密部分21a和稀疏部分21b。随着柱21更加长大，致密部分21a变得更大，而柱21的颗粒尺寸d也变得更大。

通常都知道，柱21及柱21中晶体颗粒22的尺寸影响噪声的产生。在有通过蒸发由金属磁薄膜形成磁层的磁记录介质中，为实现更低的噪声，重量的是抑制柱21及晶体颗粒22的增长。

柱21或柱21中晶体颗粒22的大小对产生噪声的影响主要取决于所用记录信号的波长。

现在所用磁记录格式的最短记录波长是0.3μm至1.0μm的范围，在这一范围中柱21的颗粒尺寸d对产生噪声有更大的影响。

由于柱21的颗粒大小的分布也对噪声有影响，重要的是使图2所示曲线变得尖锐，该曲线尽可能地指示出柱颗粒直径的分布。

特别是如图2所示，必须使柱颗粒尺寸d的分散程度变小。

考虑到这些方面，本发明的一个目的是在有通过真空蒸发在非磁性基上形成的磁薄膜的磁记录介质中减小噪声，从而保证数字记录有满意的误差率。

根据本发明的一个方面，磁记录介质包括非磁性基膜和通过斜入射蒸发在非磁性基膜上形成的磁层。在非磁性基膜上生长的柱的平均颗粒尺寸d放置于10nm≤a≤50nm的范围。值σ/a被设置于σ/a≤0.4的范围，这里σ是柱的颗粒尺寸分布的离散度值。

图1是显示柱(即柱状晶体)结构的原理图；

图2是用于解释柱的颗粒尺寸离散度的图；

图3是根据本发明的磁记录介质结构的示意图；

图4是用于以蒸发构成磁层的蒸发装置的结构示意图；

图5是磁记录介质上侧看到的磁记录介质的柱的状态图；

图6是显示柱的测量区面积与柱的平均颗粒尺寸之间关系的图；

图7是用于解释噪声电平定义的图；

图8是显示柱的平均颗粒尺寸与噪声电平之间关系的图；

图9是显示噪声电平与随机误差率之间关系的图；

图10是显示柱的值σ/a与噪声电平之间关系的图。

下面将结合附图描述根据本发明的一个实施例的磁记录介质。

如图3所示，磁记录介质1有一磁层4，磁层4是穿过底层3在非磁性基膜2上蒸发形成的。

在本实施例中，磁记录介质1还有底层3介于非磁性基膜2和磁层4之间，有保护膜5形成于磁层4的表面上，还有背敷层6位于非磁性基膜2的后侧。

磁层4是由斜入射蒸发使金属磁性材料沉积而形成的。如前所述，磁层4有柱21和在柱21中的晶体颗粒22(见图1)。

由聚酯材料(如聚酯组、聚烯烃组、纤维素衍生物、乙烯系树脂、聚酰亚铵组、聚酰铵组、聚碳酸酯等)形成的聚酯基膜用作为非磁性基膜2。

构成磁层4的金属磁薄膜可通过直空蒸发来形成。

作为金属磁薄膜的材料，可以利用由诸如Fe、Co、Ni等金属、Co-Ni系合金、Co-Ni-Pt系合金、Fe-Co-Ni系合金、Fe-Ni-B系合金、Fe-Co-B系合金以及Fe-Co-Ni-B系合金构成的面内磁化记录金属磁薄膜以及诸如Co-Cr系合金薄膜、Co-O系薄膜等垂直磁化记录金属磁薄膜。

底层3用于降低非磁性基膜2表面的粗糙度，从而调节磁层4的生长状态及其表面粗糙度，因此能用碳、钛、铬等构成。