[发明专利]压电薄膜元件无效

专利信息
申请号: 97113029.9 申请日: 1997-05-26
公开(公告)号: CN1170990A 公开(公告)日: 1998-01-21
发明(设计)人: 武内幸久;木村浩二;高桥正郎 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郑修哲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 压电 薄膜 元件
【权利要求书】:

1.一种压电薄膜型元件,其结构包括一个陶瓷基片(2,12),和一个薄膜型压电工作层,所述的工作层包括设在所述的陶瓷基片(2,12)的至少一表面的至少一部分上成层状结构的单一压电层(8,18),和分别整体设在沿所述的压电层(8,18)的厚度方向的两侧的第一和第二电极(6,6,10,20),其中在所述的压电工作层上没有叠着其它的压电工作层;所述的压电薄膜型元件包括:

使用单一的平薄膜型电极层形成的所述的第一电极(6,16);

至少一部分使用多个条形电极形成的所述的第二电极(10,20),

由所述的第一和第二电极(6,16,10,20)构成的第一压电工作装置;和

由所述的压电层(8,18)和所述的第二电极(10,20)的多个条形电极构成的第二压电工作装置。

2.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的压电层(8,18)由具有不大于10KV/cm的反电场的压电材料形成。

3.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的陶瓷基片(2,12)设成一薄壁薄膜段,并且所述的压电工作层整体地设在所述的薄膜段的外表面。

4.按照权利要求3的压电薄膜型元件,其特征在于所述的薄膜的厚度不大于50μm。

5.按照权利要求3的压电薄膜元件,其特征在于构成所述的陶恣基片(2,12)的所述的薄膜段的晶体的平均尺寸为0.1-2μm。

6.按照权利要求的压电薄膜型元件,其特征在于;

所述的陶瓷基片(2,12)具有至少一个空心空间(4,14);

成为从外面包容所述的空心空间(4,14)的壁部的所述的陶瓷基片的一部分设成一薄壁薄膜段(2a,12a);和

所述的压电工作层整体设在所述的薄膜段(2a,12a)的外表面。

7.按照权利要求6的压电薄膜型元件,其特征在于所述的薄膜段(2a,12a)的厚度为不大于50μm。

8.按照权利要求6的压电薄膜型元件,其特征在于构成所述的陶瓷基片(2,12)的至少所述的薄膜段(2a,12a)的晶体平均尺寸为0.1-2μm。

9.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的多个条形电极(10a,10b,20a,20b)分成两个不同的组,各包括交替的电极,使各所述的交替的电极沿纵向分别在两端中的一端相互连接,以构成两个梳形电极。

10.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的陶瓷基片(2,12)由含有作为主要成分的完全稳定或部分稳定的氧化锆的材料构成。

11.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的压电层(8,18)厚度为不大于100μm。

12.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的压电工作层厚度为不大于150μm。

13.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于它满足下列公式:

0.3≤x/y≤6

其中,x是所述的压电层(8,18)的厚度,而y是所述的条形电极(10a,10b)之间的距离。

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