[发明专利]压电薄膜元件无效
申请号: | 97113029.9 | 申请日: | 1997-05-26 |
公开(公告)号: | CN1170990A | 公开(公告)日: | 1998-01-21 |
发明(设计)人: | 武内幸久;木村浩二;高桥正郎 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H03H9/15 | 分类号: | H03H9/15 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑修哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 薄膜 元件 | ||
1.一种压电薄膜型元件,其结构包括一个陶瓷基片(2,12),和一个薄膜型压电工作层,所述的工作层包括设在所述的陶瓷基片(2,12)的至少一表面的至少一部分上成层状结构的单一压电层(8,18),和分别整体设在沿所述的压电层(8,18)的厚度方向的两侧的第一和第二电极(6,6,10,20),其中在所述的压电工作层上没有叠着其它的压电工作层;所述的压电薄膜型元件包括:
使用单一的平薄膜型电极层形成的所述的第一电极(6,16);
至少一部分使用多个条形电极形成的所述的第二电极(10,20),
由所述的第一和第二电极(6,16,10,20)构成的第一压电工作装置;和
由所述的压电层(8,18)和所述的第二电极(10,20)的多个条形电极构成的第二压电工作装置。
2.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的压电层(8,18)由具有不大于10KV/cm的反电场的压电材料形成。
3.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的陶瓷基片(2,12)设成一薄壁薄膜段,并且所述的压电工作层整体地设在所述的薄膜段的外表面。
4.按照权利要求3的压电薄膜型元件,其特征在于所述的薄膜的厚度不大于50μm。
5.按照权利要求3的压电薄膜元件,其特征在于构成所述的陶恣基片(2,12)的所述的薄膜段的晶体的平均尺寸为0.1-2μm。
6.按照权利要求的压电薄膜型元件,其特征在于;
所述的陶瓷基片(2,12)具有至少一个空心空间(4,14);
成为从外面包容所述的空心空间(4,14)的壁部的所述的陶瓷基片的一部分设成一薄壁薄膜段(2a,12a);和
所述的压电工作层整体设在所述的薄膜段(2a,12a)的外表面。
7.按照权利要求6的压电薄膜型元件,其特征在于所述的薄膜段(2a,12a)的厚度为不大于50μm。
8.按照权利要求6的压电薄膜型元件,其特征在于构成所述的陶瓷基片(2,12)的至少所述的薄膜段(2a,12a)的晶体平均尺寸为0.1-2μm。
9.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的多个条形电极(10a,10b,20a,20b)分成两个不同的组,各包括交替的电极,使各所述的交替的电极沿纵向分别在两端中的一端相互连接,以构成两个梳形电极。
10.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的陶瓷基片(2,12)由含有作为主要成分的完全稳定或部分稳定的氧化锆的材料构成。
11.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的压电层(8,18)厚度为不大于100μm。
12.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于所述的压电工作层厚度为不大于150μm。
13.按照权利要求1的压电薄膜型元件,其特征在于它满足下列公式:
0.3≤x/y≤6
其中,x是所述的压电层(8,18)的厚度,而y是所述的条形电极(10a,10b)之间的距离。
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