[发明专利]半导体晶片热处理设备无效
| 申请号： | 97113067.1 | 申请日： | 1997-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1177830A | 公开（公告）日： | 1998-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姜声勋;高永洛;李贞圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 热处理 设备 | ||
1、一种半导体晶片热处理设备，包括：
构成封闭空间的处理室；
安装在所述处理室内的基座，用于在其上安装晶片；
安装在所述基座上的热阻加热器，用于加热所述基座；
安装在所述室上部内的灯，用于将所述处理室内温度升至处理所需温度；
安装在所述处理室一侧上的气体注入器，用于给所述处理室内供应气体；及
安装在所述气体注入器上的气体加热器，用于预热将供给所述处理室内的气体。
2、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述灯的温度控制在500-1200℃范围内，所述热阻加热器的温度控制在低于500℃。
3、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述基座的顶上形成有支撑所述晶片的真空吸附槽。
4、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述基座顶上形成有为冷却所述晶片而供应冷却气体的冷却槽。
5、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述基座内形成有为冷却所述基座而供应冷却气体的冷却孔。
6、根据权利要求4和5的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述冷却气体选自N、He、Ar中任一种。
7、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述基座上装有升降机，用于装载和卸载所述晶片。
8、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述气体注入器为不锈钢制品。
9、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述气体注入器为石英制品。
10、根据权利要求1的半导体晶片热处理设备，其特征在于，所述气体加热器的温度控制在50-800℃范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
