[发明专利]电磁波成像系统无效
申请号: | 97113103.1 | 申请日: | 1997-05-21 |
公开(公告)号: | CN1089950C | 公开(公告)日: | 2002-08-28 |
发明(设计)人: | G·理查德·胡古尼;埃伦·穆勒;罗伯特·考洛金斯基;约翰·K·卡皮兹齐 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S13/89 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 成像 系统 | ||
1.一种形成毫米波图像的方法,它包括的步骤是:
在透射反射器的第一表面接收来自视场的毫米波信号;
利用所述透射反射器对所述接收的信号滤波,使得具有预选偏振方向的信号穿过;
用负载切换扭转反射器反射并旋转所述偏振信号;
从所述透射反射器的第二表面反射所述旋转过的偏振信号;
在辐射探测器组合上接收所述反射旋转的偏振信号;
利用压电换能器移动所述负载切换扭转反射器,将所述反射旋转的偏振信号改变方向到所述辐射探测器组合上;以及
对所述辐射探测器组合接收到的所述反射旋转的偏振信号进行处理,产生第一个图像。
2.权利要求1的方法,它还包括的步骤是,对所述负载切换扭转反射器的每次扫描提供多组图像数据。
3.权利要求1的方法,它还包括的步骤是,调节所述透射反射器与所述负载切换扭转反射器之间的距离,对在所述辐射探测器组合上接收到的所述反射旋转的偏振信号聚焦。
4.权利要求3的方法,其中所述调节步骤是利用超声探测器实现的。
5.权利要求4的方法,还包括一步骤是,对从所述视场接收到的所述信号进行带通滤波,使在预选频带内的信号通过。
6.权利要求5的方法,其中所述预选频带是在30GHz至300GHz范围。
7.权利要求6的方法,还包括的步骤是,用一透镜对所述带通滤波信号聚焦。
8.权利要求7的方法,其中所述辐射探测器组合是一辐射探测器阵列。
9.权利要求8的方法,还包括的步骤是,在所述辐射探测器组合上接收一本振信号,对所述反射旋转的偏振信号与所述本振信号进行外差。
10.权利要求9的方法,还包括的步骤是,产生一个噪声信号,并在所述辐射探测器组合上接收所述噪声信号。
11.权利要求10的方法,还包括的步骤是,将所述反射旋转的偏振信号转换成所述信号幅度的数字信号表示。
12.权利要求11的方法,其中所述本振信号是由多个信号发生器产生的。
13.权利要求12的方法,其中所述多个信号发生器是用注入锁定方法锁定相位。
14.权利要求13的方法,其中所述预选频段约为94GHz,其中所述本振信号的频率约为47Ghz。
15.权利要求14的方法,其中所述负载切换扭转反射器将所述偏振信号的偏振状态从线偏振变换到圆偏振。
16.权利要求14的方法,其中所述负载切换扭转反射器将所述偏振信号的线偏振方向旋转90°。
17.权利要求1的方法,还包括的步骤是,用一摄像机生成第二个图像,并且显示所述第一个图像和所述第二个图像。
18.权利要求17的方法,其中所述第一个图像和第二个图像显示在相同的显示装置上。
19.一种毫米波成像系统,它包括:
一个毫米波带通滤波器;
一个有偏振滤波作用的第一表面和反射作用的第二表面的透射反射器;
一个有反射层和偏振旋转层的层状负载切换扭转反射器;
安装置在所述透射反射器和所述负载切换扭转反射器之间的压电换能器;
一个辐射探测器组合;以及
把从所述辐射探测器组合接收的信号形成第一个图像的装置;
其中所述毫米波带通滤波器通过一预定频率的信号,所述透射反射器的所述第一表面对所述带通滤波信号滤波,使预定偏振方向的信号通过,所述层状负载切换扭转反射器反射并旋转所述偏振信号,所述透射反射器的所述第二表面反射所述旋转过的偏振信号;以及其中所述辐射探测器组合接收并处理所述反射旋转的偏振信号。
20.权利要求19的成像系统,其中所述移动装置包括安装在所述负载切换扭转反射器上的定位元件。
21.权利要求20的成像系统,其中所述定位元件是压电换能器。
22.权利要求21的成像系统,它还包括将所述压电换能器安装到所述负载切换扭转反射器上的球面轴承。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的