[发明专利]洗涤半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种洗涤半导体晶片的方法，用于在半导体晶片抛光之后和在用化学蒸气沉积法在该晶片上沉积外延层之前洗涤该晶片，以除去外来物质和防止外来物质变大，该方法包括以下步骤：

用洗涤剂洗涤半导体晶片，除去晶片上的外来物质；

在一种酸溶液中酸浸洗已洗涤的半导体晶片，进一步除去外来物质并中和残留的外来物质，从而使埋入外延层中的外来物质的数量和粒度减小到最小。

2.如权利要求1所述的洗涤半导体晶片的方法，其特征在于，洗涤剂是用超去离子水稀释的过氧化氢氨溶液配制成的。

3.如权利要求1所述的洗涤半导体晶片的方法，其特征在于，酸是从乙酸、盐酸、氟氢酸和柠檬酸组成的这一组酸中选出的。

4.如权利要求1所述的洗涤半导体晶片的方法，其特征在于，该方法还包括清洗用酸浸洗过的半导体晶片的步骤，以除去晶片上残留的酸。

5.如权利要求4所述的洗涤半导体晶片的方法，其特征在于，晶片用去离子水清洗。

6.如权利要求1所述的洗涤半导体晶片的方法，其特征在于，该方法还包括在洗涤晶片之前抛光晶片的步骤。

7.如权利要求1所述的洗涤半导体晶片的方法，其特征在于，该方法还包括在酸浸洗之后用化学蒸气沉积法在晶片上沉积外延层的步骤。