[发明专利]与非逻辑非晶硅只读存储器及其制造方法

权利要求书

1．一种与非逻辑非晶硅只读存储器的制造方法，包括下列步骤：

a.提供一基底，在该基底上裸露有一第一绝缘层的表面；

b.在该第一绝缘层表面形成一非晶硅层；

c.对该非晶硅层构图，形成多条沿一第一方向互为平行相隔的扩散区；

d.对这些扩散区进行第一类型的离子掺杂，以调整临界电压；

e.在这些扩散区两侧形成多个第一间隙壁；

f.在这些扩散区与这些第一间隙壁表面形成一第二绝缘层；

g.在该第二绝缘层表面形成一第一电导体层；

h.对该第一电导体层构图，形成沿一第二方向互为平行相隔的多条栅极区，该第一方向与该第二方向是以一角度相交，与这些栅极区重叠的这些扩散区部分形成多个通道区，而未与这些栅极区重叠的该扩散部分形成多个源极／漏极区；

i.在这些栅极区两侧形成第二间隙壁；

j.在上述各层表面形成一光致抗蚀剂层，并对该光致抗蚀剂层构图，露出部分这些通道区上方的这些栅极区；

k.以第二类型离子对露出的这些栅极区进行离子注入，使注入的该第二类型离子，穿过这些栅极区与该第二绝缘层进入这些通道区，之后去除该光致抗蚀剂层；

l.在上述各层表面形成一第三绝缘层；

m.对该第三绝缘层构图，在该第三绝缘层中形成多个源极/漏极区接触窗与多个栅极区接触窗，且这些源极/漏极区接触窗露出该源极/漏极区，这些栅极区接触窗露出部分该栅极区；以及

n.在这些栅极区接触窗与这些源极/漏极区接触窗中填入一第二电导体层，形成多个栅极区电极与多个源极/漏极区电极。

2．如权利要求1所述的制造方法，其中该第一类型的离子为P型离子，该第二类型的离子为N型离子。

3．如权利要求1所述的制造方法，其中该第一类型的离子为N型离子，该第二类型的离子为P型离子。

4．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤a中的该第一绝缘层为氧化硅层。

5．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤b中的该非晶硅层是利用等离子增强化学气相沉积法形成的。

6．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤e中的该第一间隙壁为二氧化硅。

7．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤e中的该第一间隙壁为氮化硅。

8．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤f中的该第二绝缘层为二氧化硅层。

9．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤f中的该第二绝缘层为氮化硅层。

10．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤g中的该电导体层为高杂质浓度的多晶硅层。

11．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤h中的该第一方向与该第二方向约为垂直相交。

12．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤i中的该第二间隙壁为氮化硅。

13。如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤i中的该第二间隙壁为二氧化硅。

14．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤l中的该第三绝缘层为硼磷硅玻璃。

15．如权利要求1所述的制造方法，其中该步骤n中的该第二电导体层为金属。