[发明专利]可控平面高频谐振器和滤波器

权利要求书

1、平面高频谐振器，带有一附着在基片上的超导体微结构，微结构的几何形状对谐振器的谐振特性，尤其是谐振的位置和宽度起着决定作用，其特征在于：备有将谐振器的预定部分转换至正常导电状况的手段。

2、依照权利要求1所述的谐振器，其特征在于：由铜酸盐构成超导体的微结构。

3、依照权利要求1或2所述的谐振器，其特征在于：对于被转换至通常导电状况的部分，在超导体微结构中，大致与超导体微结构的一个边缘垂直至少设置有一个约塞夫森触点。

4、依照权利要求3所述的谐振器，其特征在于：约塞夫森触点附着基片晶体结构的一局部干扰区。

5、依照权利要求3或4中的一项所述的谐振器，其特征在于：备有一个用绝缘层与约塞夫森触点分隔开的导电体，并且通过流经导体的电流产生带有平行于约塞夫森触点的分量的磁场。

6、依照权利要求1或2中的一项所述的谐振器，其特征在于：超导体微结构由至少带有不同临界温度的两个区构成，并且备有一个用于改变谐振器温度的装置。

7、依照权利要求6所述的谐振器，其特征在于：通过不同的结晶不规则性实现所述的区。

8、依照权利要求6所述的谐振器，其特征在于：通过化学计量的变化，尤其是局部氧含量的变化实现所述的区。

9、平面高频滤波器，其特征在于：至少有一输入端、至少有一输出端并且至少有一依照上述权利要求中的任何一项所述的谐振器设置在基片上。

10、制造依照权利要求3所述的谐振器的方法，其特征在于：一超导体层附着在介电基片上并被微结构化，并且在将超导层附着前对基片配备增大不规则性的线性结构。

11、制造依照权利要求8所述的谐振器的方法，其特征在于：超导体层被附着在基片上并被微结构化，其中超导体层由铜酸盐构成，并且在微结构化之前或之后通过对膜的离子照射实现结晶的不规则性。

12、制造依照权利要求8所述的谐振器的方法，其特征在于：一超导体层被附着在介电基片上并被微结构化，其中通过在减压情况下的强化光照射实现的局部加热来改变局部氧含量。