[发明专利]高电阻负载型静态随机存储器单元及其制造方法

权利要求书

1.一种高电阻负载型静态随机存储器单元，是包含高电阻负载元件的静态随机存储器单元，其特征在于它包括：包含第一多晶硅层和第二多晶硅层的底层，其中第一多晶硅层用于在半导体基片的规定区域上形成第一和第二驱动晶体管以及第一和第二存取晶体管的栅极，第二多晶硅层作为连接所述第一和第二驱动晶体管的接地线；第一绝缘膜，形成在所述底层上，并在所述底层规定区域中具有接触孔；第三多晶硅层，形成在所述第一绝缘膜上，并通过所述接触孔连接到所述驱动晶体管；第二绝缘膜，形成在所述第三多晶硅层和所述第一绝缘膜上；第四多晶硅层，形成在所述第二绝缘膜上，通过掺杂浓度区分电源线和高电阻负载元件。

2.如权利要求1所述的高电阻负载型静态随机存储器单元，其特征在于，所述第三多晶硅层和所述第四多晶硅层相互不重叠。

3.如权利要求1或2所述的高电阻负载型静态随机存储器单元，其特征在于，用作所述第四多晶硅层的电源线区域的杂质浓度高于用作高电阻负载元件区域的杂质浓度。

4.如权利要求1或2所述的高电阻负载型静态随机存储器单元，其特征在于，所述第四多晶硅层的高电阻负载元件区域不注入杂质。

5.一种高电阻负载型静态随机存储器单元的制造方法，是将所述高电阻作为负载元件的静态随机存储器单元的制造方法，其特征在于它包括下列步骤：形成底层，所述底层包括在半导体基片规定区域中用作驱动晶体管和存取晶体管的栅极的第一多晶硅层和用作接地线的第二多晶硅层；在所述底层上形成用于层间绝缘的第一绝缘膜，并有选择地刻蚀所述第一绝缘膜形成接触孔，使接触孔与所述底层的驱动晶体管连接；在所述第一绝缘膜上形成和构图第三多晶硅层；在整个结构的上部形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成第四多晶硅层并在电源线和高电阻负载元件区上分别注入不同剂量的杂质之后，对注入杂质的所述第四多晶硅层进行构图。

6.如权利要求5所述的高电阻负载型静态随机存储器单元的制造方法，其特征在于，所述第三多晶硅层和所述第四多晶硅层相互不重叠。

7.如权利要求5或6所述的高电阻负载型静态随机存储器单元的制造方法，其特征在于，用作所述第四多晶硅层的电源线区域的杂质浓度高于用作高电阻负载元件区域的杂质浓度。

8.如权利要求5或6所述的高电阻负载型静态随机存储器单元的制造方法，其特征在于，所述第四多晶硅层的高电阻负载元件区域中不注入杂质。