[发明专利]光电元件的制造方法

权利要求书

1、一种制造光电元件的方法，所述方法包括步骤：

提供光电元件，该光电元件包括：(a)下电极层，该下电极层包括：(a-i)铝或铝化合物构成的金属层，和(a-ii)透明导电层；(b)光电转换半导体层；及(c)透明电极层，它们以所列次序层叠在基片上，以及

把所述光电元件浸入在电解溶液中，以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷，其中所述电解溶液具有0.03mol/l或更少的氯离子含量。

2、根据权利要求1的方法，其中电解溶液含有能够防止在金属层(a-i)和基片或透明导电层(a-ii)之间的界面处发生层剥离的保护离子。

3、根据权利要求2的方法，其中保护离子是基于从硫酸盐、硝酸盐、铬酸盐、醋酸盐、苯甲酸盐和草酸盐构成的组中选择的至少一种化合物的离子。

4、根据权利要求1的方法，其中电场是通过给光电元件外加偏压电源产生的电场。

5、根据权利要求1的方法，其中电场是由电动势，具体地说是通过光照射到光电元件而产生的光电元件的电压特性而产生的电场。

6、根据权利要求4的方法，其中偏压电源正向外加到光电元件。

7、根据权利要求1的方法，其中基片由从金属、玻璃、陶瓷和树脂构成的组中选择的材料构成。

8、根据权利要求1的方法，其中基片由长基片构成，且其上具有光电元件的长基片连续地穿过电解溶液。

9、根据权利要求1的方法，其中铝化合物含有硅。

10、根据权利要求1的方法，其中透明导电层(a-ii)和/或透明电极层(c)包括金属氧化物。

11、根据权利要求1的方法，其中光电转换半导体层(b)包括非单晶半导体材料。

12、根据权利要求1的方法，其中在金属层(a-i)和基片或透明导电层(a-ii)之间的界面处层剥离开始之前完成由电解溶液的处理。