[发明专利]低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用

权利要求书

1．一种用直拉法由多晶硅拉制单晶硅锭的方法，该方法包括以下步骤：

在具有外表面的石英容器中形成熔硅液池，

用有内表面的石墨支撑容器支撑石英容器，支撑容器的至少部分内表面与石英容器的外表面接触，及

从熔硅中拉制单晶硅锭，

其特征在于，石墨支撑容器中钙的浓度按重量计不超过约1ppm。

2．根据权利要求1的方法，其特征在于，石墨支撑容器中钙的浓度按重量计不超过约0.7ppm。

3．根据权利要求1的方法，其特征在于，石墨支撑容器中钙的浓度按重量计不超过约0.2ppm。

4．根据权利要求1的方法，其特征在于，石墨支撑容器中钙的浓度按重量计不超过约0.1ppm。

5．根据权利要求1的方法，其特征在于，加热石墨支撑容器，以使支撑容器拐角部分的内表面与石英容器拐角部分的外表面接触的区域获得至少约1550℃的温度至少约2小时。

6．根据权利要求1的方法，其特征在于，加热石墨支撑容器，以使支撑容器拐角部分的内表面与石英容器拐角部分的外表面接触的区域获得至少约1575℃的温度至少约4小时。

7．根据权利要求1的方法，其特征在于，石墨支撑容器是未处理过的石墨支撑容器。

8．根据权利要求1的方法，其特征在于，石墨支撑容器是石墨托。

9．根据权利要求1的方法，其特征在于，石英容器是处理过的石英容器。

10．一种用直拉法由多晶硅拉制单晶硅锭的方法，该方法包括以下步骤：

在具有外表面的石英容器中形成熔硅液池，

用有内表面的石墨支撑容器支撑石英容器，支撑容器的至少部分内表面与石英容器的外表面接触，及

从熔硅中拉制单晶硅锭，

其特征在于，石墨支撑容器中碱土金属和碱金属的累计浓度按重量计不超过约1ppm。

11．根据权利要求10的方法，其特征在于，石墨支撑容器中选自钙、镁、锶、锂、钠和钾的金属的累计浓度按重量计不超过约0.7ppm。

12．根据权利要求10的方法，其特征在于，石墨支撑容器中钙的浓度按重量计不超过约0.2ppm。

13．一种在用直拉法由形成于石英容器中的硅熔体拉制单晶硅过程中支撑石英容器的石墨支撑容器，该石墨支撑容器包括：

基本由石墨构成的主体，该主体有内表面，内表面限定一个敞口腔，该腔能套装石英容器，且使该主体的至少部分内表面与石英容器的外表面接触，用于在石英容器中形成硅熔体和由熔硅拉制单晶硅时支撑石英容器，

其特征在于，主体中钙的浓度按重量计不超过1ppm。

14．根据权利要求13的支撑容器，其特征在于，石墨主体中钙的浓度按重量计不超过约0.7ppm。

15．根据权利要求13的支撑容器，其特征在于，石墨主体中钙的浓度按重量计不超过约0.2ppm。

16．根据权利要求13的支撑容器，其特征在于，石墨主体中钙的浓度按重量计不超过约0.1ppm。

17．根据权利要求13的支撑容器，还包括覆盖石墨主体的至少部分内表面的敷层。

18．一种在用直拉法由形成于石英容器中的硅熔体拉制单晶硅过程中支撑石英容器的石墨支撑容器，该石墨支撑容器包括：

基本由石墨构成的主体，该主体有内表面，内表面限定一个敞口腔，该腔能套装石英容器，且使该主体的至少部分内表面与石英容器的外表面接触，用于在石英容器中形成硅熔体和由熔硅拉制单晶硅时支撑石英容器，

其特征在于，主体中碱土金属和碱金属的累计浓度按重量计不超过约1ppm。

19．根据权利要求18的支撑容器，其特征在于，石墨主体中选自钙、镁、锶、锂、钠、钾的金属的累计浓度按重量计不超过约0.7ppm。

20．根据权利要求18的支撑容器，其特征在于，石墨主体中钙的浓度按重量计不超过约0.2ppm。