[发明专利]半导体加速度传感器的制造方法无效
申请号: | 97114505.9 | 申请日: | 1997-06-24 |
公开(公告)号: | CN1191314A | 公开(公告)日: | 1998-08-26 |
发明(设计)人: | 新荻正隆;齐藤丰;加藤健二 | 申请(专利权)人: | 株式会社精工电子研究开发中心 |
主分类号: | G01P15/08 | 分类号: | G01P15/08;G01D5/12;H01L49/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,傅康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 加速度 传感器 制造 方法 | ||
1.一种半导体加速度传感器的制造方法,其特征在于,它包括下列工序:
在半导体圆片表面形成应力检测部分;
将半导体圆片切下具应力检测部分的矩形平行六面体;
将支架连接到从半导体圆片切下的矩形平行六面体上。
2.如权利要求1所述的半导体加速度传感器的制造方法,其特征在于,所述切割进行得使垂直于半导体圆片具应力检测部分的表面上扩散电阻纵向的表面尺寸小于半导体圆片的厚度。
3.如权利要求1所述的半导体加速度传感器的制造方法,其特征在于,所述半导体圆片是通过用热电变换元件冷却固定工作台固定的。
4.如权利要求1所述的半导体加速传感器的制造方法,其特征在于,强迫冷却面对冷却固定工作台的表面的散热表面。
5.如权利要求1所述的半导体加速度传感器的制造方法,其特征在于,所述切割步骤中,向切割刀片提供一抗冻剂作为切割液体。
6.如权利要求1所述的半导体加速度传感器的制造方法,其特征在于,它还包括下列工序:
在半导体圆片的前后表面部分开槽;
在上述各槽中开出比各槽狭窄的槽,使其贯穿半导体圆片,以从半导体圆片切下具应力检测部分的矩形平行六面体。
7.如权利要求6所述的半导体加速度传感器的制造方法,其特征在于,所述切割工序采用切割刀片。
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