[发明专利]Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 97114973.9 | 申请日： | 1997-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1113399C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 宝地户雄幸;门仓秀公;松本政道;有田浩二;吾妻正道;大槻达男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;株式会社高纯度化学研究所;西梅特里克司有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bi 层状 结构 电介质 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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