[发明专利]独石瓷介电容器和它的制作方法

权利要求书

1.一种独石瓷介电容器，包含：

多个介电陶瓷层；

多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极；以及

外部电极，每个内部电极的一端延伸到与所述外部电极之一电气连接，

其特征在于，每个内部电极都由贱金属制成，并在内部电极周围处部分或全部地形成有Si氧化物层。

2.一种独石瓷介电容器，包含：

多个介电陶瓷层；

多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极；以及

外部电极，每个内部电极的一端延伸到与所述外部电极之一电气连接，

其特征在于，每个内部电极由贱金属制成，并在内部电极周围处，部分或全部地形成有包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层或所述内部电极的成分的复合层。

3.如权利要求2所述的独石瓷介电容器，其特征在于，贱金属是Ni或Ni合金。

4.如权利要求1到3中任一条所述的独石瓷介电容器，其特征在于，组成所述介电陶瓷层的成分中至少有一种是Si氧化物。

5.一种制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供陶瓷片坯，它包含作为主要成分的钛酸钡，作为次要成分的氧化镁，以及含有Li₂O-(TiO·SiO₂)-Al₂O₃的氧化物玻璃；

在所述片坯上淀积含有一种金属M的内部电极；

最后将两片所述片坯层叠；

在M/MO的平衡氧气分压以下烧制叠层物；以及

在所述叠层物的外表面上淀积与所述内部电极电气连接的外部电极。

6.如权利要求5所述的制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，所述金属M是一种贱金属。

7.如权利要求6所述的制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，所述贱金属是镍。

8.如权利要求5所述的制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，氧气的分压范围从10^-a-3MPa到10^-aMPa，其中，10^-aMPa是M/MO的平衡氧气分压。

9.一种制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一种包含钛酸钡作为一主要成分，氧化镁和氧化硅作为次要成分的陶瓷片坯；

在所述片坯上淀积包含一种金属M的内部电极；

最后将两片所述片坯层叠；

在M/MO的平衡氧气分压以下烧制所述层叠物；以及

在所述层叠物的外表面上淀积与内部电极电气连接的外部电极。

10.如权利要求9所述的制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，所述金属M是一种贱金属。

11.如权利要求10所述的制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于所述贱金属是镍。

12.如权利要求9所述的制作独石瓷介电容器的方法，其特征在于，氧气分压的范围从10^-a-3MPa到10^-aMPa，其中10^-aMPa是M/MO的平衡氧气分压。