[发明专利]表面和沟槽记录用信息记录媒体无效
申请号: | 97116056.2 | 申请日: | 1997-08-19 |
公开(公告)号: | CN1176454A | 公开(公告)日: | 1998-03-18 |
发明(设计)人: | 小林忠 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 沟槽 记录 信息 媒体 | ||
1.一种表面和沟槽记录用信息记录媒体,它具有基片和记录膜,
基片,其上带有表面和沟槽;
记录膜,它形成在上述基片上,能够产生结晶状态和非结晶状态之间的相变化,
上述记录膜前面的表面和沟槽的台阶高度在下式(1)所示的范围内,
λ/(6n)≤ds≤λ/(5n)…(1)
式中,ds是记录膜前面的表面和沟槽的台阶高度,λ是重放所用光束的波长,n是基片的折射率。
2.如权利要求1所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,在上述基片和记录膜之间具有保护膜,该保护膜的厚度应能达到使上述记录膜为非结晶状态时的反射率接近极小。
3.如权利要求项2所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,其上述保护膜,厚度为50~150毫微米,由所用光束波长时的折射率为1.5~2.5的介质构成,上述记录膜前面的表面和沟槽的台阶高度为70~90毫微米,用波长600~700毫微米的光速进行重放。
4.一种表面和沟槽记录用信息记录媒体,它具有基片和保护膜以及记录膜,
基片,其上带有表面和沟槽;
保护膜在上述基片上形成;
记录膜,它形成在上述保护膜上,能产生结晶状态和非结晶状态之间的相变化,
上述记录膜和保护膜的界面上的表面和沟槽的台阶高度在下式(1)所表示的范围内,
λ/(6n)≤ds≤λ/(5n)…(1)
式中,ds是记录膜和保护膜的界面上的表面和沟槽的台阶高度,λ是重放所用的光束的波长,n是基片的折射率。
5.如权利要求项4所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,其上述保护膜的厚度应达到使上述记录膜为结晶状态时的反射率接近极小。
6.如权利要求5所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,其上述保护膜,厚度为15~150毫微米,由所用光束波长时的折射率为1.5~2.5的介质构成,上述记录膜和保护膜的界面上的表面和沟槽的台阶高度为70~90毫微米,用波长600~700毫微米的光束进行重放。
7.一种表面和沟槽记录用信息记录媒体,它具有基片和保护膜以及记录膜,
基片,其上带有表面和沟槽;
保护膜在上述基片上形成的保护膜;
记录膜,它形成在上述保护膜上,能产生结晶状态和非结晶状态之间的相变化,
上述保护膜的厚度为150毫微米以上,上述记录膜和保护膜的界面上的表面和沟槽的台阶高度在下式(1)所表示的范围内,
λ/(6n)≤ds≤λ/(5n)…(1)
式中,ds是记录膜和保护膜的界面上的表面和沟槽的台阶高度,λ是重放所用的光束的波长,n是基片的折射率。
8.如权利要求项7所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,其上述保护膜的厚度是在记录膜的反射率随保护膜厚度变化而进行周期性变化时的第2个周期中的一种膜厚,而且是上述记录膜为结晶状态或非结晶状态时的反射率接近极小时的膜厚。
9.如权利要求8所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,其上述保护膜,厚度为220~320毫微米,由所用光束波长时的折射率为1.5~2.5的介质构成,上述记录膜和保护膜的界面上的表面和沟槽的台阶高度为70~90毫微米,用波长600~700毫微米的光束进行重放。
10.一种表面和沟槽记录用信息记录媒体,它具有基片和记录膜,
基片,其上带有表面和沟槽;
记录膜,它形成在上述基片上,能产生结晶状态和非结晶状态之间的相变化,
膜层结构是:上述记录膜的基片侧的表面和沟槽的台阶高度在下式(1)所表示的范围内,而且,不产生上述记录膜的结晶和非结晶的相位变化,
λ/(6n)≤ds≤λ/(5n)…(1)
式中,ds是记录膜的基片侧的表面和沟槽的台阶高度,λ是重放所用的光束的波长,n是基片的折射率。
11.如权利要求项10所述的表面和沟槽记录用信息记录媒体,在上述基片和记录膜之间具有保护膜,该保护膜的厚度应达到使上述记录膜为非结晶或结晶状态时的反射率接近极小。
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