[发明专利]氮化物半导体材料的蚀刻方法无效
| 申请号： | 97116600.5 | 申请日： | 1997-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1060541C | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 彭隆瀚;庄志伟;何晋国;陈金源 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 左明坤 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体材料 蚀刻 方法 | ||
1．一种氮化物半导体材料的蚀刻方法，其包括下列步骤：
(Ⅰ)在氮化物半导体材料上镀上金属电极；
(Ⅱ)将氮化物半导体材料设置于夹持照明装置上；
(Ⅲ)将夹持照明装置、氮化物半导体材料及导电金属电极均浸泡于电解蚀刻液中；
(Ⅳ)利用光源发出波长小于254nm的深紫外光，照射氮化物半导体材料；
(Ⅴ)以电流计分别连接氮化物半导体材料上的金属电极及另一置于蚀刻中的导电金属电极，借以监控蚀刻电流，并即时控制蚀刻深度。
2．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的氮化物半导体材料为氮化镓。
3．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的电解蚀刻液的pH值需大于11或小于3。
4．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的镀在氮化物半导体材料上的金属电极的功函数须大于氮化物半导体材料的电子亲和力。
5．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的产生深紫外光的光源为汞灯。
6．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的产生深紫外光的光源为氙灯。
7．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的产生深紫外光的光源为准分子激光光源或是YAG激光四倍频以上的转换输出激光光源。
8．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的可产生深紫外光的光源为氘灯。
9．根据权利要求1的蚀刻方法，其中，所述的镀在氮化物半导体材料上的金属电极可为具有外层电极和内层电极的双层电极，且外层电极的功函数须大于内层电极的功函数。
10．根据权利要求3的蚀刻方法，其中，所述的电解蚀刻液为氢氧化钾溶液或是磷酸。
11．根据权利要求9的蚀刻方法，其中，所述的双层电极的外层电极为铼、铂、钌、铑、钯、金、铱或镍。
12．根据权利要求9的蚀刻方法，其中，所述的双层电极的内层电极为钛、钒、铬、锆、钼、铪、钽或钨。
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