[发明专利]通电控制电路及使用它的电子设备无效
申请号: | 97117397.4 | 申请日: | 1997-08-07 |
公开(公告)号: | CN1175115A | 公开(公告)日: | 1998-03-04 |
发明(设计)人: | 阿部泰介;菊冈三彦;松田健吾;濑川政美 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H02M5/257 | 分类号: | H02M5/257;G05D23/20;H02P5/402;H05B37/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通电 控制电路 使用 电子设备 | ||
本发明涉及控制给设备通电的通电控制电路及使用它的各种电子设备。
例如,要将电子保温箱之类的电子设备出口到各国的情况下,由于各国商用电源电压不同,故必要的条件是变换变压器以便获得控制用直流电压。
上述变压器的变换,现实中其设计业务量是极大的,不是只要准备商用电源电压对应于中国台湾省的110V、中国的220V、美国的120V、欧洲的230~240V的变压器就是足够用了,或是流过对应于各种设备的适当电流的变压器,就必须重新另作设计。这种变压器试制筹料等的调换在组织上是很费工的。其结果提高了设备的价格。
本发明的目的在于廉价提供一种无需变压器等就能适应不同电源电压的通电控制电路及使用它的电子设备。
为实现上述发明目的,本发明的构成备有:通电元件;接于该通电元件的通电路径中的可控硅(晶闸管);与该可控硅并联连接的控制电源用第一电容器和第一二极管的串联连接体;连接于所述可控硅栅极的稳压元件;与所述电容器并联连接同时控制端连接于所述可控硅栅极的控制电路。被接入的商用电源电压不管多少伏,借助接于可控硅栅极的稳压元件对可控硅的控制,在第一电容器上可获得规定的控制电压,因此,不需要已有技术的变压器,能廉价提供此通电控制电路。
附图概述
图1为本发明第一实施例中通电控制电路的电路图;
图2为本发明第二实施例中通电控制电路的电路图;
图3为本发明第三实施例中通电控制电路的电路图;
图4为将本发明第四实施例中的通电控制电路用于电开水器时的电开水器结构的剖视图;
图5为图4实施例中通电控制电路的电路图;
图6为表示图4实施例中动作流程的流程图。
实施例1
下面参照附图说明本发明第一实施例。
图1中,1为交流商用电源,如100V,其通电路经中连接有作为通电元件的加热器2和双向三端可控硅(以下简称为“可控硅”)3。
该可控硅3并联连接控制电源用电容器4和二极管5的串联连接体。
然后,电容器4通过端子a、e接于控制电路6。
也即,上述加热器2在本实施例中用于对保温箱7内进行加热,并用负温度特性的热敏电阻构成的温度传感器8检测该箱7内的温度,通过端子b传输给控制电路6,由该控制电路6对加热器2进行通电控制,使保温库7内温度保持恒定。
具体而言,可控硅3的栅极连接有作为稳压元件的齐纳二极管9和控制电路6的控制端子c。
在控制电路6内设有比较器10,该比较器10的反相输入端上接有电阻11、12的连接点,其正向输入端上接有温度传感器8与电阻13的连接点。
比较器10的输出端接于光控晶闸管14中发光二极管15与电阻16的串联连接体。
该光电耦合晶闸管14中晶闸管17的阳极通过电阻18和二极管19的端子d连接于交流商用电源1。
晶闸管17的阴极及接有电阻20的栅极通过端子c连接于可控硅(晶闸管)3的栅极。
一旦接通交流商用电源1,就向加热器2通电,但在交流电压正半周中从零升至10V前,可控硅3不导通,其间,电容器4经二极管5充电。
也即,由于齐纳二极管9的齐纳电压设定在10V上,交流电压正半周上升至10V前可控硅3的栅极没有电流流入,因此,可控硅3不会被触发,其间,向电容器4进行充电,该电容器4的充电电压构成控制电路6的控制电压。
特别值得一提的是,即使交流商用电源1换为110V、120V、220V,也就说即便出口国电压变化,只要齐纳二极管9的齐纳电压设定为10V,那么在各种电压下该电压正半周上升到10V之前,可控硅3都不会被触发,结果,电容器4经常进行10V的充电。
总之,即使交流商用电源1发生变化,控制电路6不作任何变更也能使用。因此,与已有技术那样用对应于不同国家的变压器获得10V控制电压相比,能使生产成本大幅度下降。
而且,控制电路6在上述10V控制电压下工作,当保温箱7内还处于低温时,温度传感器8的电阻较大,因此,比较器10的正相输入端的电压比反相输入端电压低,比较器10输出L(低电平)。
结果发光二极管15加电,其发光使晶闸管17导通,因此可控硅3的栅极流入电流,使可控硅3导通,对加热器2加电。
此时可控硅3正、负半周时都导通,加热器2处于强加热状态。
正半周一旦超过齐纳二极管9的齐纳电压,可控硅3就导通;负半周时,因晶闸管17导通,故可控硅3的栅极通过二极管19、电阻18、晶闸管17获得电流。
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