[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，利用在表面平坦的绝缘层的凹槽内充满的导电体、构成焊点，其特征在于，

所述半导体器件包括在所述绝缘层上形成的在所述焊点上具有开口部的蚀刻阻挡层、和

在所述蚀刻阻挡层上形成的在所述焊点上具有开口部并由与所述绝缘层相同材料构成的钝化介质层。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的凹槽具有格子状，所述焊点也具有格子状。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层和所述钝化介质层由氧化硅构成，所述蚀刻阻挡层由氮化硅构成。

4.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件在表面平坦的绝缘层上设置凹槽，借助于在所述凹槽内充满导电体、形成焊点，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括下述工序：

在所述绝缘层上和所述焊点上，形成由至少对于构成所述绝缘层的材料、能有选择地进行蚀刻的材料构成的蚀刻阻挡层的工序；在所述蚀刻阻挡层上，形成由至少对于构成所述蚀刻阻挡层的材料、能有选择地进行蚀刻的材料构成的钝化介质层的工序；仅去除位于所述焊点上的所述钝化介质层的工序；仅去除位于所述焊点上的所述蚀刻阻挡层的工序。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，利用在所述绝缘层上形成完全充满所述凹槽的导电体的工序和利用CMP研磨所述导电体的工序，形成所述焊点。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，基于RIE蚀刻所述钝化介质层，基于RIE或者CDE蚀刻的所述蚀刻阻挡层。

7.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，借助于在所述凹槽内充满导电体，形成所述焊点，同时形成最上层的布线层。