[发明专利]形成凹穴和接触窗的方法

权利要求书

1.一种在相同的反应条件下利用在光阻层侧壁上形成的聚合物间隙壁形成一凹穴的方法，其步骤包括：

提供一半导体基底，该半导体基底上覆盖有一非导电层；

在该非导电层上，淀积及设定一光阻层的图案，以在该非导电层上露出欲用于形成该凹穴的一预定面积；

淀积一聚合物层以覆盖该光阻层及该凹穴的预定面积；

各向异性蚀刻该聚合物层以形成该光阻层侧壁上的聚合物间隙壁；以及

蚀刻该非导电层直至露出该半导体基底，形成该凹穴。

2.如权利要求1所述的方法，其中所形成的该凹穴为接触窗，线间距，及沟槽中的一种。

3.如权利要求1所述的方法，其中该聚合物侧壁间隙以反应离子蚀刻技术形成。

4.如权利要求1所述的方法，其步骤更包括一将该光阻层从该非导电层上去除的步骤。

5.如权利要求1所述的方法，其中淀积该聚合物层所使用的反应气体，和在该非导电层上蚀刻该凹穴所使用的反应气体大致相同。

6.如权利要求1所述的方法，其中淀积该聚合物层所使用的反应气体系包括CHF₃。

7.如权利要求1所述的方法，其中淀积该聚合物层所使用的反应气体系包括CHF₃，C₄F₈，和CO。

8.如权利要求1所述的方法，其中使用该聚合物侧壁间隙为掩膜，以在该非导电层中形成凹穴。

9.如权利要求1所述的方法，其中该聚合物层的淀积步骤，形成该聚合物层的蚀刻步骤，以及该凹穴的蚀刻步骤是在同一个反应室中进行。

10.如权利要求1所述的方法，其中该非导电层中的该凹穴系经氧化干蚀刻步骤完成。

11.一种在非导电层内形成凹穴的方法，其步骤包括：

提供一半导体基底，在该半导体基底上淀积一非导电层；

在该非导电层上形成一经设定图案的光阻层；

均匀的淀积一聚合物层于该非导电层，以及该光阻层之上；

蚀刻该聚合物层以形成该光阻层上的聚合物侧壁间隙；以及

蚀刻该非导电层至露出该半导体基底，以形成该凹穴。

12.如权利要求11所述的方法，其中该非导电层由介电材料所形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中该半导体基底为一硅基底。

14.如权利要求11所述的方法，其中该聚合物层及该非导电层系以干蚀刻技术形成。

15.如权利要求11所述的方法，其中形成的该凹穴为接触窗或线间距。

16.如权利要求11所述的方法，其中步骤还包括一利用等离子氧化物去除法和湿式清除法，将光阻层38去除的步骤。

17.如权利要求11所述的方法，其中形成于该非导电层内的该凹穴，其直径不大于0.5μm。

18.一种在单一反应室中形成一接触窗的方法，其步骤包括：

提供一硅基底；

淀积一介电层于该硅基底上；

淀积一光阻层于该介电层上；

设定该光阻层的图案以形成一第一开口至露出该介电层，用以制作该接触窗；

均匀的淀积一聚合物层于该第一开口及该光阻层上；

各向异性蚀刻该聚合物层，在该第一开口中形成一聚合物侧壁间隙，覆盖该光阻层；

以该些聚合物侧壁间隙为掩膜，各向异性蚀刻该介电层以形成一第二开口至露出该硅基底，其中该第二开口将会小于该第一开口，使更窄的接触窗得以形成；

从该介电层上移去该光阻层。

19.如权利要求18所述的方法，其中该第二开口的直径较该第一开口直径的一半更小。

20.如权利要求18所述的方法，其中该聚合物层是以一反应气体淀积，且该反应气体相似于各向异性蚀刻步骤中所使用的反应气体。