[发明专利]互阻抗函数的产生方法及集成电路有效
申请号: | 97117922.0 | 申请日: | 1997-09-02 |
公开(公告)号: | CN1176528A | 公开(公告)日: | 1998-03-18 |
发明(设计)人: | 威廉·E·梅因 | 申请(专利权)人: | 摩托罗拉公司 |
主分类号: | H03F3/195 | 分类号: | H03F3/195;H03G3/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻抗 函数 产生 方法 集成电路 | ||
1.一种集成电路(10),其特征在于包括:
有一个控制极、一个第一电流承载电极和一个第二电流承载电极的互导放大器(11),其中第一电流承载电极连接用于接收一个偏置电流,第二电流承载电极连接用于接收工作电位的第一极;
有一个第一端和一个第二端的负载阻抗(13),其第一端连接用于接收一个差电流,第二端与互导放大器(11)的第一电流承载电极相接,该第二端用作集成电路(10)的输出;
有第一及第二端的二极管(12),其第一端与负载阻抗(13)的第一端相接,第二端与互导放大器(11)的控制极相接;
与二极管(12)的第一端相接的电流源(17);以及
与二极管(12)的第二端相接的电流吸收器(16),使二极管(12)偏置在正向导通工作模式下。
2.如权利要求1的集成电路(10),其中互导放大器(11)是一个晶体管(15)。
3.权利要求1或2的集成电路(10),其中晶体管是一个双极晶体管。
4.权利要求1或2的集成电路(10),其中晶体管(11)是一个场效应晶体管。
5.权利要求1,2,3或4的集成电路(10),其中负载阻抗(13)是一个电容。
6.权利要求1的集成电路(10),进一步包括一个为负载阻抗(13)的第一端提供差电流的偏置级(14)。
7.一种集成电路(30),其特征在于包括:
有一个控制极,一个第一电流承载极和一个第二电流承载极的互导放大器(11),其中第一电流承载极连接用于接收工作电位的第一极;
有第一和第二端的二极管,其中第一端连接用于接收一个偏置电流,第二端与互导放大器(11)的第二电流承载极相接;以及
有一个第一端和一个第二端的负载阻抗(13),其中第一端与互导放大器(11)的控制电极相接,用于接收一个差电流,第二端与二极管(32)的第一端相接。
8.一种互阻抗函数的产生方法,其特征在于包括步骤:
提供一个有一个互导值,一个反相输入和一个输出端的互导放大器(11);
在互导放大器(11)的输出端和相反输入之间提供一个第一阻抗(13),其中信号电流流过第一阻抗(13)并在第一阻抗(13)两端产生一个电压;
提供一个第二阻抗(12),其值是互导放大器(11)的互导值的倒数的函数,其中信号电流流过第二阻抗(12)并在第二阻抗(12)两端产生一个电压;以及
把第一(13)和第二(12)阻抗两端的电压与出现在互导放大器(11)的反相输入端的电压相加,产生一个电压,该电压是第一阻抗(13)和输入电流的函数。
9.权利要求8的方法,其中提供第一阻抗(13)的步骤包括提供一个电容器。
10.权利要求8或9的方法,其中提供第二阻抗(12)的步骤包括提供一个二极管。
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