[发明专利]形成层的方法无效
申请号: | 97118404.6 | 申请日: | 1997-09-05 |
公开(公告)号: | CN1177829A | 公开(公告)日: | 1998-04-01 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·大卫·多布森 | 申请(专利权)人: | 特利康设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 英国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成层 方法 | ||
本发明涉及在半导体晶片上形成层的方法。
在一些涉及半导体晶片的制造工艺中,都要在晶片的表面淀积通常是液体的层,然后在可以淀积其它层或进行其它工艺步骤之前需要除去该层上的水分。这种工艺的例子是旋涂玻璃(spin-on glass)工艺或在国际专利申请No.PCT/GB93/01368中描述的一种平面工艺。层(包括膜)通常是可拉伸的层并且如果不特别注意,在除去水分时最终的内力将引起层断裂。有时利用其它的工艺步骤,例如在烘干工艺之前淀积一透水的覆盖层。
一方面,本发明是在半导体晶片上形成层的方法,包括往晶片加张应力,在有应力的晶片上淀积拉伸层以及解除晶片的应力状态。
解除晶片应力状态的结果将是在层里产生压应力,这用于平衡层的拉伸特性并且免除或减少断裂的可能性。
在最佳的实施方式中,通过弯曲在晶片上加应力,例如这可以通过在具有凸状支撑面的静电卡盘上夹紧晶片来获得。
最好在解除应力之前层可以允许硬化或被硬化或者以其它方式固化。尤其最好在晶片加应力之前在晶片上淀积籽晶层。
本发明也是用于弯曲晶片的装置,包括具有凸状支撑面的静电卡盘。
尽管在上面详细说明了本发明,应该明白它包括前述的或下述特征的任何创造性组合。
本发明可以以不同的形式完成,作为例子,现在将参照附图描述具体的实施方式,该图是通过夹紧在静电卡盘上的晶片的横截面原理图。
图中,静电卡盘10具有凸状支撑面11并由电源12供电。已经很好地了解静电卡盘的常规操作,并且在1993年1月的固态技术87页Larry DHartsough的文章中得到合适的总结。更详细的结构和操作参考那篇文章,该文章因此附带作为参考。卡盘的通常用途在于在绝缘支撑物的顶端产生静电分布,以使得晶片相对支撑物保持平坦,从而夹在它们之间的气态热传输媒体能在整个晶片表面产生均匀的热传导。然而,在这种情况下上表面11显然是凸形,以使得当把晶片13夹紧在卡盘10上时受到张应力。
最好,在给晶片加应力之前,在晶片13上淀积籽晶层14。只要晶片13加上应力,利用例如前述的那些合适的技术,就可以淀积拉伸膜或层15。然后使层15硬化或允许硬化,或固化或局部固化。达到期望状态时,晶片11从卡盘10取走,并回到它通常的平坦状态。在此过程中在压负载下放置层15,这用于抵抗层15内的张应力,否则这些张应力将使得它在除去水分时断裂。因此在除去水分步骤时的常规预防都可以减少或免除。
应该明白,可以使用其它弯曲晶片的方法;静电卡盘的优点在于它免除了与晶片13的上表面接触的需要。更应该明白的是在晶片上安置半导体装置时在一些情况下可以进行操作,但需要注意其后的晶片弯曲不能引起前面淀积层的损坏。可能需要使用卡盘,例如在安置装置时需要具有逐渐变浅形状的卡盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造