[发明专利]刻蚀方法、结晶生长方法和半导体器件的制造方法无效
申请号: | 97118416.X | 申请日: | 1997-09-04 |
公开(公告)号: | CN1190250A | 公开(公告)日: | 1998-08-12 |
发明(设计)人: | 和泉茂一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/465;H01L21/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 结晶 生长 半导体器件 制造 | ||
1.一种使用卤素气体刻蚀半导体材料的方法,其特征在于:
包括在高温高真空气氛中供给SiI4气体的工序;
用SiI4气体的热分解产生的碘气体对配置于上述高温高真空气氛中的半导体材料进行刻蚀。
2.一种结晶生长方法,其特征在于,包括:
在基底材料上进行半导体结晶的生长来形成第1半导体层的工序;
在该第1半导体层上进行半导体结晶的再生长来形成第2半导体层的工序;
进行上述半导体结晶的再生长的工序包括:
在高温高真空的气氛下,在隔断或限制结晶生长用的气体供给的状态下供给SiI4气体,用由SiI4气体的热分解而产生的碘气体对上述第1半导体层的露出面进行刻蚀的刻蚀工序;和
其后,在解除结晶生长用的气体供给隔断或限制的状态下,在高温高真空气氛下,在供给上述SiI4气体的同时供给结晶生长用的气体,在该第1半导体层的刻蚀面上进行第2半导体层的再生长的结晶生长工序,
在该结晶生长工序中,将由该SiI4气体的热分解而产生的硅作为第2半导体层内的掺杂剂而进入。
3.根据权利要求2所述的结晶生长方法,其特征在于:进行上述半导体结晶的再生长的工序是在真空中进行包含刻蚀处理、成膜处理、对形成了的膜的性能鉴定处理的一系列处理的工艺中的一个工序。
4.根据权利要求2所述的结晶生长方法,其特征在于:在上述结晶生长工序中通过化学束淀积方法进行第2半导体层的再生长。
5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底上通过半导体结晶的第1次生长处理依次层叠多个半导体层的工序;
对该层叠的半导体层的表面的预定区域进行有选择的刻蚀处理,形成到达上述多个半导体层中的预定的半导体层的沟槽的工序;
在该沟槽内通过半导体结晶的第2次生长处理形成埋入层的工序;
和在该埋入层上形成电极的工序,
上述埋入层的形成工序包括:
在高温高真空的气氛下,在隔断或限制结晶生长用的气体供给的状态下供给SiI4气体,用由SiI4气体的热分解而产生的碘气体对上述第1半导体层的露出面进行刻蚀的刻蚀工序;和
其后在解除结晶生长用的气体供给隔断或限制的状态下,在高温高真空气氛下,在供给上述SiI4气体的同时供给结晶生长用的气体,在上述沟槽内生长埋入层的结晶生长工序,
在该结晶生长工序中,对由该SiI4气体的热分解而产生的硅作为第2半导体层内的掺杂剂而进入。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在上述沟槽的形成工序中,对上述层叠的半导体层的表面的应配置源电极和漏电极的区域进行有选择的刻蚀处理,形成到达作为沟道层的半导体层的一对沟槽;
在上述埋入层的形成工序中,在该一对沟槽内对上述埋入层作为低电阻的源、漏区而形成;
在上述电极的形成工序中,在作为该源区的埋入层上形成源电极,在作为该漏区的埋入层上形成漏电极;
其后,在上述多个半导体层中的上述沟道层或其上侧的半导体层的源电极和漏电极之间的区域内形成栅电极。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在进行上述第1次半导体结晶的生长处理工序中,在形成上述沟道层的同时,形成在与该沟道层之间构成异质结界面的半导体层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其特征在于:
在进行上述第1次半导体结晶的生长处理的工序中,在上述GaAs衬底上依次形成i型GaAs缓冲层、n型GaAs沟道层、i型AlGaAs层、n-型GaAs层和n+型GaAs层;
在上述刻蚀工序中,通过刻蚀除去在贯通上述AlGaAs层的沟槽的内壁处生成的氧化膜;
在上述结晶生长工序中,用化学束淀积方法形成n+型GaAs层作为上述埋入层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97118416.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:速率控制器
- 下一篇:在植株内表现出抗病毒和/或抗真菌活性的PAP突变蛋白
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造