[发明专利]荧光体无效

专利信息
申请号: 97119249.9 申请日: 1997-09-29
公开(公告)号: CN1097628C 公开(公告)日: 2003-01-01
发明(设计)人: 岩间哲治;松久昇;広野政己;内藤胜;服部诚 申请(专利权)人: 化成光学仪器株式会社
主分类号: C09K11/00 分类号: C09K11/00;H01J29/20
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 白益华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 荧光
【说明书】:

发明涉及适合于作为显示装置(如能受电子束、紫外光等激发,有效地发射光的阴极射线管)的荧光体。具体地说,本发明涉及能在用淤浆涂覆方法、糊浆涂覆方法等涂覆的荧光膜中,改善荧光体填充密度、改善荧光体的分散性并形成致密的荧光膜的荧光体。所述荧光体还能提高荧光膜的亮度并形成具有优良色彩纯度和对比度的影像。

显示仪表(如阴极射线管)的荧光屏装有黑色基质(black matrix,下面称之为“BM”),它包括在面板(玻璃制底板)内表面上的不发光的、用以改善对比度的黑色材料,在黑色基质(BM)上形成有一层包括聚乙烯醇(PVA)等的预涂层,以使面板与荧光体淤浆很好地相匹配。随后,依次将三种颜色G(绿色)、B(蓝色)和R(红色)的荧光体淤浆涂覆于预涂层上,用照相印刷法(曝光并显影)形成荧光膜。

在这种荧光膜的形成过程中会发生“起翳”现象,损害荧光屏的色彩纯度和对比度。上述起翳现象可如下分类:

1)“在BM上起翳”:荧光体滞留并沉积在黑色基质(BM)上而损害对比度的现象;

2)“在玻璃上起翳”:由于先前涂覆的荧光体滞留并沉积在表面上,使形成在该表面上的荧光膜的色彩纯度受损的现象;以及

3)“交叉污染”:由于存在随后涂覆的荧光体颗粒,使先前涂覆的彩色荧光膜的色彩纯度受损的现象。

例如,“B/G”交叉污染是指在G荧光膜上的B污染,“R/G”交叉污染是指在G荧光膜上的R污染。

因此,需要改进荧光颗粒以减少“起翳”,从而改善色彩纯度和对比度,并需要改进荧光体的填充密度以改进荧光膜的亮度。

为了解决上述由荧光膜的起翳现象和荧光体填充密度引起的问题,本发明人对用各种表面处理物质化学处理荧光体表面进行了研究,发现荧光体填充密度和起翳现象与经表面处理的荧光体表面的Z电位的等电离点以及与PVA涂覆的小球接触时产生的吹除电荷(blow-off charge)有关。并发现上述问题可通过用特殊的表面处理物质涂覆荧光体得到解决。

因此,本发明提供一种荧光体,其特征在于通过用特殊的物质处理荧光体表面,改善形成荧光膜的填充密度并防止起翳现象。

为了解决上述问题,已提出了通过加入特殊的有机化合物和/或无机化合物来改进荧光体表面(参见JP-B-63-66876、JP-A-63-284290、JP-A-3-273088、JP-B-7-116428、JP-A-1-284583、JP-A-5-28967和JP-B-44-11769),但是本发明人发现这些提议并不总能提供具有满意的形成荧光膜的填充密度并防止起翳现象的荧光体。

例如,当用阴离子化合物(即可带负电荷的物质,如二氧化硅和JP-B-63-66876所述的丙烯酸树脂)或非离子化合物(如JP-B-64-5737所述的聚苯乙烯树脂)均匀地处理改性荧光体表面时,可使经如此处理的荧光体的Z电位的等电离点约为7或者更低,但吹除电荷也降低了,从而产生起翳现象。

另外,根据JP-B-63-66876和JP-A-3-273088,用阳离子物质(即可带正电荷的物质,如碱金属或碱土金属氧化物)、具有氨基的偶合剂等处理改性荧光体表面,可使经如此处理的荧光体的吹除电荷约为5μC/g或更高,从而减少起翳现象,改善荧光屏的色彩纯度和对比度,但是Z电位的等电离点升至约7或更高,从而降低了形成荧光膜的荧光体填充密度,同时也降低了亮度。

在本发明中,“吹除电荷”是指与表面涂覆PVA、粒径为200-800微米的小球接触产生的吹除电荷。

可通过使用具有下列结构的本发明荧光体解决上述问题。

(1)一种荧光体,其特征在于它具有涂覆含季铵盐的金属醇盐的表面。

(2)如上面(1)所述的荧光体,其特征在于所述金属醇盐具有下列通式:

其中,R1-R3:C1-C24的烷基或者烯丙基;

         R4:C1-C4的烷基;

          M:Si、Ti或Zr;

          X:卤离子;

          n:1-8的整数。

(3)如上面(2)所述的荧光体,其特征在于M是Si元素;

(4)如前面(1)-(3)中任何一项所述的荧光体,其特征在于荧光体表面依次涂覆阴离子有机化合物和/或无机化合物以及金属醇盐。

(5)一种荧光体,其特征在于具有一个涂覆非离子或阴离子化合物颗粒和一种含季铵盐的化合物的表面。

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