[发明专利]在液体表面生长金刚石晶体的方法

权利要求书

1、一种在液体表面生长金刚石晶体的方法，其特征在于用碳源在可防止氧化的气体里，在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。

2、按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的衬底为金属Ge、Cu、Ga、In、Sn或Al加热至这些金属的熔点以上。

3、按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述的衬底为金属Ge、Cu、Ga、In、Sn或Al的合金加热至这些金属合金的熔点以上。

4、按照权利要求1所述的方法，其特征在于形成金刚石晶体的温度为400-1500℃。

5、按照权利要求1所述的方法，其特征在于用液态金属的催化性能，与碳接触后，不需要仔晶，自发生长金刚石晶体。

6、按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述碳源为固相碳源。

7、按照权利要求6所述的方法，其特征在于碳源为碳笼材料，经热分解成碳原子做碳源。

8、按照权利要求6所述的方法，其特征在于碳源为稀上金属的碳化物，与所述金属反应分解做碳源。

9、按照权利要求1所述的方法，其特征在于所述碳源为气相碳源，用化学气相沉积碳氢化合物分解做碳源。    

10、按照权利要求1所述的方法，其特征在于当碳在金属液面上生长了一层完整的刚晶后，继续CVD过程，在刚晶表面同质外廷，制造厚层的金刚石晶体。

11、按照权利要求1所述的方法，其特征在于在氢气里，用碳源在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。

12、按照权利要求1所述的方法，其特征在于在隋性气体里，用碳源在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。

13、按照权利要求1所述的方法，其特征在于用金属铜液态衬底，制做n-型金刚石晶体。

14、按照权利要求1所述的方法，其特征在于用金履镓或铟或铝液态衬底，制做p-型金刚石半导体。

15、按照权利要求1所述的方法，其特征在于用金属锗及锡液态衬底，制做同价掺杂半导体。

16、按照权利要求1所述的方法，其特征在于用金属铁或镍或钴做底板，在上面加入所述衬底金属，使在形成金刚石晶体的过程中，衬底金属液有一个平坦的表面。

17、按照权利要求1和5所述的方法，其特征在于所述衬底金属的溶化过程中，在其表面会有微量的底板金属做湿润剂，减少刚晶表面张力，形成大的平坦的刚晶。