[发明专利]在液体表面生长金刚石晶体的方法无效

专利信息
申请号: 97119937.X 申请日: 1997-10-29
公开(公告)号: CN1215766A 公开(公告)日: 1999-05-05
发明(设计)人: 方宝贤 申请(专利权)人: 方宝贤
主分类号: C30B29/04 分类号: C30B29/04;C30B25/18
代理公司: 云南省专利事务所 代理人: 张怡
地址: 650091 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 液体 表面 生长 金刚石 晶体 方法
【权利要求书】:

1、一种在液体表面生长金刚石晶体的方法,其特征在于用碳源在可防止氧化的气体里,在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。

2、按照权利要求1所述的方法,其特征在于所述的衬底为金属Ge、Cu、Ga、In、Sn或Al加热至这些金属的熔点以上。

3、按照权利要求1所述的方法,其特征在于所述的衬底为金属Ge、Cu、Ga、In、Sn或Al的合金加热至这些金属合金的熔点以上。

4、按照权利要求1所述的方法,其特征在于形成金刚石晶体的温度为400-1500℃。

5、按照权利要求1所述的方法,其特征在于用液态金属的催化性能,与碳接触后,不需要仔晶,自发生长金刚石晶体。

6、按照权利要求1所述的方法,其特征在于所述碳源为固相碳源。

7、按照权利要求6所述的方法,其特征在于碳源为碳笼材料,经热分解成碳原子做碳源。

8、按照权利要求6所述的方法,其特征在于碳源为稀上金属的碳化物,与所述金属反应分解做碳源。

9、按照权利要求1所述的方法,其特征在于所述碳源为气相碳源,用化学气相沉积碳氢化合物分解做碳源。    

10、按照权利要求1所述的方法,其特征在于当碳在金属液面上生长了一层完整的刚晶后,继续CVD过程,在刚晶表面同质外廷,制造厚层的金刚石晶体。

11、按照权利要求1所述的方法,其特征在于在氢气里,用碳源在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。

12、按照权利要求1所述的方法,其特征在于在隋性气体里,用碳源在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。

13、按照权利要求1所述的方法,其特征在于用金属铜液态衬底,制做n-型金刚石晶体。

14、按照权利要求1所述的方法,其特征在于用金履镓或铟或铝液态衬底,制做p-型金刚石半导体。

15、按照权利要求1所述的方法,其特征在于用金属锗及锡液态衬底,制做同价掺杂半导体。

16、按照权利要求1所述的方法,其特征在于用金属铁或镍或钴做底板,在上面加入所述衬底金属,使在形成金刚石晶体的过程中,衬底金属液有一个平坦的表面。

17、按照权利要求1和5所述的方法,其特征在于所述衬底金属的溶化过程中,在其表面会有微量的底板金属做湿润剂,减少刚晶表面张力,形成大的平坦的刚晶。

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