[发明专利]动态型半导体存储器及其测试方法

权利要求书

1.一种动态型半导体存储器，其特征在于备有：多个存储单元和写入电压控制装置，

上述多个存储单元排列成行及列的矩阵状，各存储单元分别保存高电平数据或低电平数据，

上述写入电压控制装置在将上述高电平数据写入上述存储单元时、在通常方式下写入第1电平电压，在测试方式下写入比上述第1电平电压低的第2电平电压。

2.根据权利要求1所述的动态型半导体存储器，其特征在于：

它还备有多条字线和多条位线，上述多条字线与上述多个行对应地配置，各字线与对应的行的上述存储单元连接，

上述多条位线与上述多个列对应地配置，各位线与对应的列的上述存储单元连接，

上述各存储单元包含通过改变对应的上述字线电位的电平而进行控制的传输门，

上述写入电压控制装置是字线选择装置，

上述字线选择装置根据行地址信号选择上述字线，在上述测试方式中，将上述第2电平电压写入与所选择的上述字线连接的上述存储单元时，控制加在所选择的上述字线上的电压电平，以便将比写入上述第1电平电压时低的电平电压通过上述传输门从上述位线送给上述存储单元内部，

与从对应的上述位线供给的电压对应的数据被写入与所选择的上述字线连接的上述存储单元中。

3.根据权利要求2所述的动态型半导体存储器，其特征在于：

上述传输门是晶体管，

上述晶体管包含与对应的上述字线连接的控制电极、与对应的上述位线连接的第1电极、以及与上述存储单元内部连接的第2电极，

在上述测试方式中，将上述第2电平电压写入与所选择的上述字线连接的上述存储单元时，上述字线选择装置将其绝对值比写入上述第1电平电压时小的电压送给所选择的上述字线。

4.根据权利要求1所述的动态型半导体存储器，其特征在于：

它还备有多条位线、多条数据线和多个连接装置，

上述多条位线与上述多个列对应地配置，上述各位线与对应的列的上述存储单元连接，

上述多条数据线与上述多条位线对应地配置，上述各数据线的电位设定成与从外部供给的数据对应的电位，

上述多个连接装置与上述多条位线对应地设置，上述各连接装置将对应的上述位线和对应的上述数据线连接起来，

上述写入电压控制装置是位线分离装置，

在上述测试方式中，将上述第2电平电压写入上述存储单元时，上述位线分离装置控制上述连接装置，以便比写入上述第1电平电压时低的电平电压从上述数据线传送给上述位线，

与从对应的上述位线供给的电压对应的数据被写入上述存储单元。

5.根据权利要求4所述的动态型半导体存储器，其特征在于：

上述连接装置是晶体管，

在上述测试方式中，将上述第2电平电压写入上述存储单元时，上述位线分离装置将其绝对值比写入上述第1电平电压时小的电压送给上述晶体管的控制极。

6.根据权利要求1所述的动态型半导体存储器，其特征在于：

它还备有多条位线对和多个读出放大器，

上述多条位线对与上述多个列对应地配置，上述各位线对与对应的列的上述存储单元连接，

上述多个读出放大器与上述多条位线对对应地设置，上述各读出放大器检测并放大对应的位线对的电位差，

上述写入电压控制装置是读出放大控制装置，

在测试方式中，将上述第2电平电压写入上述存储单元时，上述读出放大控制装置使上述读出放大器的放大率比写入上述第1电平电压时小，

与从对应的上述位线对的对应的位线供给的电压对应的数据被写入上述存储单元。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的动态型半导体存储器，其特征在于：在上述测试方式中，检测被写入上述存储单元的上述高电平数据变成上述低电平数据的不良现象。

8.一种具有多个保存高电平数据或低电平数据的存储单元的动态型半导体存储器的测试方法，其特征在于包括以下步骤：将上述高电平数据写入上述各存储单元的步骤；

将上述高电平数据写入上述各存储单元后，从上述各存储单元读出所保存的数据的步骤；

以及以上述读出的全部数据为原先的状态，判断写入的上述高电平数据是否变为上述低电平数据的步骤，在写入上述高电平数据的步骤中，写入比在通常方式中写入上述高电平数据时低的电平电压。