[发明专利]医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法无效
| 申请号： | 97120353.9 | 申请日： | 1997-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1048291C | 公开（公告）日： | 2000-01-12 |
| 发明（设计）人： | 崔福斋;罗忠升;冯庆玲 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 医用 植入 离子束 增强 沉积 羟基 磷灰石 镀层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法，其特征在于该方法包括下列各步骤：
(1)清洗：电流为30～60mA，用能量为0.8～1.2KeV的Ar离子束轰击基底样品表面，轰击时间为10～15分钟，本底压强为5×10-6乇，工作过程中，保持水蒸汽分压为0～2×10-4乇，工作压强为0.5～2.5×10-4乇；
(2)制作界面：以50％的羟基磷灰石烧结陶瓷靶为溅射，用电流为20～60mA，能量为0.3～3.5KeV的离子束轰击，在基底样品表面溅射成膜，同时以电流为1～3mA，能量为24～30KeV的高能Ar离子束轰击基底样品表面，溅射时间为10～30分钟；
(3)沉积生长：上述第二步的溅射过程继续进行，用电流为40～100mA、能量为3～3.5KeV的离子束轰击，继续溅射成膜，同时以电流为5～20mA，能量为0.5～400eV的低能Ar离子轰击，溅射时间为1～5小时；
(4)镀膜后1小时，将上述第三步的膜样品从真空中取出，加热至380℃～420℃，在湿度为大于70％的潮湿空气中退火0～4小时，即可得到具备羟基磷灰石镀层的医用植入物。
2、如权利要求1所述的制备方法，其特征在于其中所述的基底样品是金属、陶瓷或高分子聚合物中的任何一种。
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