[发明专利]N位比较器无效

专利信息
申请号: 97120478.0 申请日: 1997-10-20
公开(公告)号: CN1182910A 公开(公告)日: 1998-05-27
发明(设计)人: 尹石重 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F7/02 分类号: G06F7/02
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 马莹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 比较
【权利要求书】:

1.一种N位比较器,比较N位的两个数A和B,其特征在于,它包括:N个一位比较单元,比较所述A和B的各位的两个位ai、bi(0≤i≤N-1),若两个位相同则以第一电平输出第二输出并以和所述第一电平互补的第二电平输出第一输出,若两个位中ai大于bi则以所述第二电平输出所述第二输出并以所述第一电平输出所述第一输出,若两个位中ai小于bi则以所述第二电平分别输出所述第一和第二输出;最终比较单元,输入所述一位比较单元的第一和第二输出,在高位相同时根据低位的比较结果而输出所述两个数的最终比较结果。

2.如权利要求1所述的N位比较器,其特征在于,所述最终比较单元包括:将所述最高位的一位比较单元的第一输出反相输出的反相器;响应高位的第二输出而输出其余位的各个一位比较单元的第一输出的N-1个与非门电路;输入所述反相器的输出和所述N-1个与非门电路的输出信号而输出所述两个数的最终比较结果信号的与非门电路。

3.如权利要求1所述的N位比较器,其特征在于,所述各个一位比较单元包括:大小比较单元,如果所述两个位ai、bi中ai更大于bi则以所述第一电平输出所述第一输出,其它情况下以第二电平输出;相同比较单元80,如果所述两个位ai、bi相同则以第一电平输出所述第二输出,其它情况下以第二电平输出。

4.如权利要求3所述的N位比较器,其特征在于,所述大小比较单元包括:第一导电型MOS晶体管,具有与所述bi相连接的栅极、在所述ai和所述第一输出之间连接的源极和漏极;第二导电型MOS晶体管,具有与所述bi相连接的栅极、在所述第二输出和地之间连接的源极和漏极。

5.如权利要求3所述的N位比较器,其特征在于,所述相同比较单元包括:输入所述ai并反相输出的第一CMOS反相器;响应所述第一CMOS反相器的输出和所述ai而传输所述bi的第一传输门电路;响应所述bi而传输所述ai的第二传输门电路;响应所述bi而传输所述第一CMOS反相器的输出的第三传输门电路;共同输入所述第一至第三传输门电路的输出信号并反相后作为所述第二输出P而输出的第二CMOS反相器。

6.一种一位大小比较器,比较两个位ai、bi,其特征在于,它包括:第一导电型MOS晶体管,具有与所述bi相连接的栅极、在所述ai和输出端之间连接的源极和漏极;第二导电型MOS晶体管,具有与所述bi相连接的栅极、在所述输出端和地之间连接的源极和漏极。

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