[发明专利]用于硅衍生物或硅的绝缘材料层的化学机械抛光方法和研磨制品

权利要求书

1.一种用于对基于硅或硅衍生物的绝缘材料层进行化学机械抛光的方法，其中通过采用含有一种磨料的织物磨擦所说的层而使绝缘材料层磨损，其特征在于该磨料含有没有通过硅氧烷键连接的单个胶体氧化硅颗粒和作为悬浮介质的水的胶体氧化硅酸性水基悬浮液。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于该胶体氧化硅酸性水基悬浮液的pH为1-6。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于该胶体氧化硅酸性水基悬浮液的pH为2-3。

4.根据权利要求l-3中任一项的方法，其特征在于该胶体氧化硅直径为3-250纳米。

5.根据权利要求4的方法，其特征在于该胶体氧化硅直径为10-50纳米。

6.根据权利要求1-3中任一项的方法，其特征在于该胶体氧化硅酸性水基悬浮液的氧化硅浓度为5-50％重量。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于该胶体氧化硅酸性水基悬浮液的氧化硅浓度为15-30％重量。

8.根据权利要求1-3中任一项的方法，其特征在于基于硅或硅衍生物的绝缘材料层是以二氧化硅、氮化硅、多晶硅或无定型硅为基础的。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于该绝缘材料层是以二氧化硅为基础的。

10.一种用于对基于硅或硅衍生物的绝缘材料层进行化学机械抛光的研磨制品，它包括浸渍了胶体氧化硅酸性水基悬浮液的织物，该胶体氧化硅酸性水基悬浮液含有没有通过硅氧烷键连接的单个颗粒，其颗粒直径为3-250纳米，pH为1.5-4。