[发明专利]具有掺氢的氦填料的等离子体寻址液晶显示面板结构的通道组件无效
申请号: | 97121476.X | 申请日: | 1997-09-30 |
公开(公告)号: | CN1179551A | 公开(公告)日: | 1998-04-22 |
发明(设计)人: | R·D·欣奇克利夫;K·J·伊尔西辛;M·W·罗伯逊 | 申请(专利权)人: | 特克特朗尼克公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,王忠忠 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 填料 等离子体 寻址 液晶显示 面板 结构 通道 组件 | ||
1、一种用于等离子体寻址液晶面板的通道结构,包括,
一个通道部件(4),限定至少一个通道(20),
至少一个阴极(26),具有一个裸露于所述一个通道中的上表面,和
至少一个阳极(24),具有一个裸露于所述一个通道中的上表面,所述一个阳极的所述上表面(50)具有大致均匀的结构,并且在垂直于所述上表面方向具有至少约104-4ohm-1cm-1的电导率。
2、如权利要求1所述的通道结构,其中,阴极(26)具有一个金属基体的中间部分(48)和一层折射材料镀层(54)。
3、如权利要求1所述的通道结构,其中,阳极具有一个金属基体的中间部分(48)和一层金属顶层(50)。
4、一种用于等离子体寻址液晶面板的通道结构,包括,
一个通道部件(4),限定至少一个通道(20),以及
至少一个阴极(26)和至少一个阳极(24),他们各具有一个裸露于所述一个通道中的上表面,以在通道中的阳极与阴极之间建立电场,
并且,其中阳极的所述上表面具有大致均匀的结构,且在平行于通道中建立的电场方向上具有至少约10-4ohm-1cm-1的电导率。
5、如权利要求4所述的通道结构,其中,阴极(26)具有一个金属基体的中间部分(48)和一层折射材料镀层(54)。
6、如权利要求4所述的通道结构,其中,阳极(24)具有一个金属基体的中间部分(48)和一层金属顶层(50)。
7、一种用于等离子体寻址液晶面板的通道组件,包括:
一个通道结构(4),限定多个通道(20),
一覆盖片(6),粘接在所述通道结构上,
填充气体,位于由通道结构与覆盖片限定的通道中,此填充气体含有掺氢的氦,掺氢浓度在约0.01%至约10%的范围内,
至少一个阴极(26),裸露于每一通道中,和
至少一个阳极(24),裸露于每一通道中,各阳极具有一个大致均匀结构的且至少约10-4ohm-1cm-1的电导率的表面层(50)。
8、如权利要求7所述的通道组件,其中,阴极(26)具有一个金属基体的中间部分(48)和一层折射材料镀层(54)。
9、如权利要求7所述的通道组件,其中,阳极(24)具有一个金属基体的中间部分(48)和一层金属顶层(50)。
10、如权利要求7所述的通道组件,其中,所述填充气体含氢浓度在约0.5%至5%的范围内。
11、如权利要求7所述的通道组件,其中,所述填充气体含氢浓度在约1%至3%的范围内。
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