[发明专利]制造集成电路的化学机械研磨方法及其装置

权利要求书

1．一种制造集成电路的化学机械研磨方法，其步骤包括：

提供一半导体底材覆设有一含钨材料的薄膜；

使用研磨垫和研浆研磨该薄膜；

重复该等提供的薄膜和研磨步骤，以制作一个以上的半导体底材，而形成含有钨氧化物材料的副产物残留于该研磨垫上；

以含氢氧化铵的溶液调整该研磨垫，将大部分的钨氧化物材料从该研磨垫移除；以及

回到该重复步骤。

2．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研磨垫含有聚尿烷的材料。

3．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该钨氧化物材料是由含钨材料与研浆作用所形成的。

4．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研浆是由研磨性粒子和氧化剂所组成。

5．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含钨材料是一化学气相沉积钨。

6．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含钨材料是一溅镀钨。

7．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该重复步骤是欲形成6000A厚的钨薄膜。

8．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该钨氧化物材料为三氧化钨。

9．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含氢氧化铵溶液的pH值大于7。

10．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该含氢氧化铵溶液的pH值大于4。

11．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研浆含一氧化剂。

12．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该研浆含一酸性氧化剂。

13．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该调整步骤由一旋转钻石轮执行。

14．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中该调整步骤由一刷状调整器执行。

15．根据权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于其中在该调整步骤中提供去离子水于该研磨垫上。

16．一种制造集成电路的方法，其特征在于该方法是用来调整化学机械平坦化装置中覆有不溶性金属氧化物的研磨垫，该调整步骤包括：

将一旋转调整垫装设于该研磨垫表面上，该旋转调整垫包含有一调整溶液于其上，该调整溶液为一含氢氧化铵化合物的水溶液；以及

用该调整溶液和该旋转调整垫移除大部分该不溶性的钨氧化物。

17．根据权利要求16所述的方法，其特征在于其中该研磨垫为含有聚尿烷的材料。

18．根据权利要求16所述的方法，其特征在于其中该调整溶液的pH值大于7。

19．根据权利要求16所述的方法，其特征在于其中该旋转调整垫可以是一刷状垫或一钻石垫。

20．一种用以制造集成电路的化学机械研磨装置，其特征在于其包括：

一具有一研磨垫的旋转滚筒，该研磨垫具有一研磨表面随一固定轴转动；

一牵转头用以握住有一钨薄膜的一晶片，该晶片具有该钨薄膜的一面对着该研磨表面；

一含有酸溶液的研浆来源，该研浆与该钨薄膜作用形成不溶性的钨氧化物，该钨氧化物会黏附在该研磨垫上；以及

一调整元件设置于该研磨垫附近，该调整元件耦合于一调整溶液的来源，该调整溶液为一氢氧化铵溶液用以溶解该不溶性的钨氧化物。