[发明专利]半导体产品的制造工艺有效

申请号：	97122707.1	申请日：	1997-11-14
公开（公告）号：	CN1183635A	公开（公告）日：	1998-06-03
发明（设计）人：	坂口清文;米原隆夫	申请（专利权）人：	佳能株式会社
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王永刚
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体产品制造工艺
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【权利要求书】：

1.一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底，无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构，在离子注入层处分离多层结构；并除去留在分离的第二衬底上的离子注入层。

2.一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底，将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构；在离子注入层处分离多层结构；除去留在分离的第二衬底上的离子注入层；除去留下的离子注入层后，再次将第一衬底作为第一衬底材料使用。

3.一种制造半导体产品的工艺，包括以下步骤：制备包括硅衬底的第一衬底，将无孔半导体层形成在硅衬底上，在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层；将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构；在离子注入层处分离多层结构；除去留在分离的第二衬底上的离子注入层；从其上除去留下的离子注入层后，再次将第一衬底作为第二衬底材料使用。

4.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中在硅衬底上形成无孔半导体层后形成离子注入层。

5.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中在硅衬底上形成无孔半导体层和在无孔半导体层上形成绝缘膜后形成离子注入层。

6.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中离子注入层用选自稀有气体元素、氢和氮的组中的离子元素形成。

7.根据权利要求6的制造半导体产品的工艺，其中离子的注入剂量控制在10¹⁶-10¹⁷/cm²的范围内。

8.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中离子注入层的厚度控制不大于500埃。

9.根据权利要求8的制造半导体产品的工艺，其中离子注入层的厚度控制不大于200埃。

10.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中对离子注入层施加外力将多层结构分开。

11.根据权利要求10的制造半导体产品的工艺，其中通过与衬底表面垂直的方向按压、通过与衬底表面垂直的方向拉离，或通过加剪切力施加外力。

12.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中多层结构是通过露出在多层结构的边缘的离子注入层并随后氧化粘接的衬底分离的。

13.根据权利要求1-3中的任意一个制造半导体产品的工艺，其中多层结构是通过加热多层结构分离的。

14.根据权利要求13的制造半导体产品的工艺，其中加热整个多层结构。

15.根据权利要求13的制造半导体产品的工艺，其中加热部分多层结构。