[发明专利]用于等离子体显示板的电能恢复装置

说明书

本发明涉及一种用于等离子体显示板(PDP)的馈能装置，更为具体地，涉及一种其中充有将被加到PDP单元电极上的电压、且所充电压要释放到该电极上的PDP电能恢复装置。

目前，需求一种可以替代阴极射线管(CRT)的显示装置。特别是，对大尺寸小体积的平面显示装置的研究正在进行之中。

平面显示装置分为有源器件和无源器件。有源器件包括电发光器件、发光二极管、PDP等等。无源器件包括液晶显示器、电色显示器等等。

尤其是有源器件PDP有许多优点。如有一种记忆功能，如果输入一个脉冲便会不断放电。由于标记点排成一个阵列结构，故图像无畸变。由于发光频率高达50-100KHZ，所以不发生闪烁。平面的结构使其小型简单。由于在与放电量接触的内部电介质表面上使用了可减少放电燃烧的材料，故其寿命延迟了。另外，PDP采用了一种可使滑动的图像重合的面板结构，从而使得结构简单。

其中，填充有彭宁混合气体的PDP放电空间可以用正/负交变的高压放电。彭宁混合气体是含氩的氖气，或含氙的氖气。与氖气相比，彭宁混合气体只需要一个较低的放电阈值电压。

放电过程中产生的电子由电介质阻挡，致使电子留在放电空间中。留下的电子可以用于充入能量。

图1是表示传统的PDP电能恢复装置的电路示意图。传统的电能恢复装置包括脉冲维持发生部分110、电压充电部分120、和电极电容C。

脉冲维持发生部分110有开关部分，该开关部分根据用脉冲发生部分(未示出)发出的一个预定电平的输入的控制信号把一个来自外部的正电压B+加到电极电容C上。该开关部分有第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)TR11和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)TR12。

电压充电部分120有第三金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)TR13，该晶体管根据用脉冲发生部分(未示出)发出的一个预定电平的充电控制信号把输入的正电压B+经电感L和二极管D11充到存储电容Cs上。电压充电部分120有第四金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)TR14，该晶体管根据用脉冲发生部分(未示出)发出的一个预定电平的放电控制信号把所充的正电压B+通过二极管D12和电感L放电到电极电容C上。

这种传统的电能恢复装置可以减小充电和放电电源从外部加到存储电容上的电压。

但是，传统的电能恢复装置仅仅可以充放正电压，致使传统的电能恢复装置在加电压时较为困难。即，当要加正负两个电压时，就无法进行负电压的充电和放电。

所以，本发明旨在解决上述问题。本发明的一个目的是提供一种电能恢复装置，该装置在正或负电压被放电到外部存储装置之后用剩余电子充电，并在下一次放电过程中将所充电压馈送到放电电极。

以下将说明实现本发明目的的PDP电能恢复装置的结构。在为PDP单元盒的电极提供输入电压的PDP馈能装置中，本发明提供了一种电能恢复装置，它包括：充入输入电压的正电压并将所充正电压释放到电极上的正电压充电/放电装置：充入输入电压的负电压并将所充负电压释放到电极上的负电压充电/放电装置；和一个控制装置，以用于控制向电极施加输入电压，在输入电压为正电压时，控制正电压充电/放电装置中正电压的充电/放电，在输入电压为负电压时，控制负电压充电/放电装置中负电压的充电/放电。而且本发明进一步包括一个脉冲维持发生装置。该脉冲维持发生装置包括：一个根据控制装置发出的正电压输入控制信号，将正电压施加到正电压充电/放电装置、负电压充电/放电装置和电极上的第一开关装置；和一个根据控制装置发出的负电压输入控制信号，将负电压施加到正电压充电/放电装置、负电压充电/放电装置和电极上的第二开关装置。

以下说明有此结构的PDP电能恢复装置的操作。如果控制装置发出的正电压输入控制信号使第一开关装置发生切换，则输入一个正电压到电极和正电压充电装置。在随后的正电压放电过程中，正电压放电装置把所充正电压释放到电极。而如果由控制装置发出的负电压输入控制信号使第二开关装置发生切换，则输入一个负电压到电极和负电压充电装置。在随后的负电压放电过程中，由负电压放电装置把所充负电压释放到电极。

以下说明有此结构的PDP电能恢复装置的效果。由于该电能恢复装置不仅可以接收正电压，而且可以接收负电压，所以加在PDP上的电压不受限制。可以用相同的能量更好地驱动PDP。所以，减少了能耗。

本发明的目的和优点将通过结合附图对优选实施例的详细说明而更为清楚，其中：

图1是表示传统PDP电能恢复装置的电路图；