[发明专利]具有功率因数校正的气体放电灯镇流器无效
申请号: | 97123449.3 | 申请日: | 1997-12-23 |
公开(公告)号: | CN1187749A | 公开(公告)日: | 1998-07-15 |
发明(设计)人: | L·R·内罗内;D·J·卡赫马尔克 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H05B41/29 | 分类号: | H05B41/29;H02M5/458;G05F1/70 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒,王忠忠 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 功率 因数 校正 气体放电灯 镇流器 | ||
1.一种气体放电灯镇流器,包括:
(a)负载电路,带有用于连接气体放电灯的装置;
(b)用于从a.c.电压供给d.c电源的装置;
(c)d.c.-a.c.转换电路,连接到所述负载电路,用于在其中感生a.c.电流,所述转换电路包括:
(i)第一和第二转换开关,以上述顺序串联在位于d.c.电压上的总线节点与参考节点之间,并且在所述a.c.负载电流通过的公共节点上连接在一起;
(ii)所述第一和第二转换开关各有一个控制节点和一个参考节点,两个节点之间的电压确定了所述开关的导通状态;
(iii)将所述第一和第二转换开关的各自控制节点互相连接;和
(iv)将所述第一和第二转换开关的各自参考节点在所述公共节点处连接在一起;以及
(d)升压转换器,包括:
(i)升压电容,连接在所述总线和参考节点之间,其充电电平确定了在所述总线导体上的总线电压;
(ii)升压电感,用于储存来自所述d.c.供电装置的能量,通过至少一个二极管将所述升压电感连接到所述升压电容,以便将它的能量放电到所述升压电容中;
(iii)升压开关,通过一低阻抗通路将所述升压电感周期性地连接到所述总线节点,从而对所述升压电感充电;
(e)所述升压开关包括所述转换电路的所述第一开关。
2.根据权利要求1的镇流器,其中所述第一开关比所述第二开关具有更低的导通电阻。
3.根据权利要求1的镇流器,其中所述低阻抗通路包括允许电流从所述升压开关流到所述升压电感的p-n二极管。
4.根据权利要求1的镇流器,其中所述升压电感的电感量和所述d.c.-a.c.转换电路的工作频率选择成使得所述升压电感在通贯所述a.c.电源的整个周期都以非连续能量存储方式工作。
5.根据权利要求1的供电电路,其中所述d.c.-a c.转换电路包括一个再生开关控制电路,用于控制所述第一和第二开关的开关状态。
6.根据权利要求5的供电电路,其中所述负载电路包括荧光灯。
7一种气体放电灯镇流器,包括:
(a)负载电路,带有用于连接气体放电灯的装置;
(b)用于从a.c.电压供给d.c.电源的装置;
(c)d.c.-a.c.转换电路,连接到所述负载电路,用于在其中感生a.c.电流,所述转换电路包括:
(i)n-沟道增强型第一MOSFET和p-沟道增强型第二MOSFET,以上述顺序连接在处于d.c.电压的总线节点与参考节点之间,它们的源极在流过所述a.c.负载电流的公共节点上连接在一起;
(ii)所述第一和第二MOSFET各自的栅极相互连接;以及
(d)升压转换器,包括:
(i)升压电容,连接在所述总线和参考节点之间,其充电电平确定了在所述总线导体上的总线电压;
(ii)升压电感,用于储存来自所述d.c.供电装置的能量,通过至少一个二极管将所述升压电感连接到所述升压电容,以便将它的能量放电到所述升压电容中;
(iii)升压开关,通过一低阻抗通路将所述升压电感周期性地连接到所述总线节点,从而对所述升压电感充电;
(e)所述升压开关包括所述第一MOSFET。
8.根据权利要求7的镇流器,其中所述低阻抗通路包括允许电流从所述升压开关流向所述升压电感的p-n二极管。
9.根据权利要求7的镇流器,其中所述升压电感的电感量和所述d.c.-a.c.转换电路的工作频率选择成使得所述升压电感在通贯所述a.c.电源的整个周期都以非连续能量存储方式工作。
10.根据权利要求7的供电电路,其中所述d.c.-a.c.转换电路包括一个再生开关控制电路,用于控制所述第一和第二MOSFET的开关状态。
11.根据权利要求10的供电电路,其中所述负载电路包括荧光灯。
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