[发明专利]半导体晶片的湿法处理方法及湿法处理装置

权利要求书

1.一种半导体晶片的湿法处理方法，该方法中在1个处理槽中进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗，然后直接把上述半导体晶片移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥，其特征在于：

在上述药液处理和干燥的工序之间，用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理上述半导体晶片；

作为上述半导体颗粒去除剂，使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂，所述ζ电位是液体中的固体表面的电位，该ζ电位以绝对值减少这一点来表示了附着力的减小。

2.权利要求1所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

作为上述半导体颗粒附着防止剂，使用乙醇、电解离子水或表面活性剂的任一种。

3.权利要求1所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

在上述水洗工艺的至少一部分中，把上述半导体颗粒去除剂添加到水洗用的纯水中。

4.权利要求3所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

在半导体晶片的处理槽中使水洗用的纯水流过后，在滞留在上述半导体晶片的处理槽内的纯水中添加上述半导体颗粒去除剂。

5.权利要求3所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

在半导体晶片的处理槽中使水洗用的纯水流过的水洗工艺的至少一部分中，在上述流过的纯水中添加上述半导体颗粒去除剂。

6.权利要求3所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

在半导体晶片的处理槽中使水洗用的纯水流过的水洗工艺的全部过程中，在上述流过的纯水中添加上述半导体颗粒去除剂。

7.一种半导体晶片的湿法处理方法，该方法中在1个处理槽内进行了半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗、然后直接把上述半导体晶片移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥，其特征在于：

在上述药液处理和干燥的工序之间，用半导体颗粒去除剂处理上述半导体晶片；

作为上述半导体颗粒去除剂，使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。

8.权利要求7所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

在半导体晶片的上述药液处理之后接着用半导体颗粒去除剂处理上述半导体晶片。

9.权利要求7所述的半导体晶片的湿法处理方法，其特征在于：

在半导体晶片的上述水洗之后接着用半导体颗粒去除剂处理上述半导体晶片。

10.一种半导体晶片的湿法处理装置，其特征在于，具有：进行半导体晶片的湿法处理的湿法处理槽；在该湿法处理槽内在上述半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗的装置；在上述半导体晶片的水洗后把上述半导体晶片直接移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥的装置；在上述药液处理和干燥工序之间用含有半导体颗粒去除剂的溶液处理上述半导体晶片的装置；

作为上述半导体颗粒去除剂，使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。

11.权利要求10所述的半导体晶片的湿法处理装置，其特征在于：具有从上述晶片处理槽的上方供给含有上述半导体颗粒去除剂的溶液的装置。

12.一种半导体晶片的湿法处理装置，其特征在于，具有：进行半导体晶片的湿法处理的湿法处理槽；在该湿法处理槽内在上述半导体晶片的药液处理后进行上述半导体晶片的水洗的装置；在上述半导体晶片的水洗后把上述半导体晶片直接移到含有乙醇的蒸汽气氛中进行干燥的装置；在上述药液处理和干燥的工序之间使上述半导体晶片浸渍在半导体颗粒去除剂中的装置；

作为上述半导体颗粒去除剂，使用调整颗粒的ζ电位以谋求防止颗粒附着的半导体颗粒附着防止剂。

13.权利要求10至12的任一项所述的半导体晶片的湿法处理装置，其特征在于：具有回收从上述湿法处理槽中排出的上述半导体颗粒去除剂并进行再利用的装置。