[发明专利]用于光刻工艺的模拟方法无效

专利信息
申请号: 97125740.X 申请日: 1997-12-29
公开(公告)号: CN1087099C 公开(公告)日: 2002-07-03
发明(设计)人: 安昌男;金熙范 申请(专利权)人: 现代电子产业株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 袁炳泽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 工艺 模拟 方法
【权利要求书】:

1.一种用于光刻工艺的模拟方法,包括的步骤有:

通过输入在I-线抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局,获得一投射影像;

将所述投影图像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布,并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散,获得一扩散投射影像;

将所述扩散投射影像应用到一临界模型,从而预测抗蚀层图形的大小。

2.如权利要求1所述的模拟方法,所述扩散投射影像由下式得到:

其中Io是所述投射影像,F、F-1分别代表到ξ,η空间的傅立叶变换,与从ξ,η空间的傅立叶反变换,而σB为一适合参数。

3.如权利要求1所述的模拟方法,其中所述酸分布是以二维来处理,而非以三维处理,使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。    

4.如权利要求1所述的模拟方法,其中所述抗蚀层厚度被决定成小于1.5μm,使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。

5.一种用于光刻工艺的模拟方法,包括的步骤有:

通过输入在化学扩大抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局,获得一投射影像;

将所述投射影像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布,并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散和扩大,获得一扩散投射影像;

将所述扩散投射影像应用到一临界模型,从而预测抗蚀层图形的大小。

6.如权利要求5所述的模拟方法,所述扩散投射影像由下式得到:

其中Io为所述投射影像,F、F-1分别代表到ξ,η空间的傅立叶变换,与从ξ,η空间的傅立叶反变换,而σB为一适合参数。

7.如权利要求5所述的模拟方法,其中所述酸分布是以二维来处理,而非以三维处理,使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。

8.如权利要求5所述的模拟方法,其中所述抗蚀层厚度被决定成小于1.5μm,使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。

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