[发明专利]用于光刻工艺的模拟方法

权利要求书

1.一种用于光刻工艺的模拟方法，包括的步骤有：

通过输入在I-线抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局，获得一投射影像；

将所述投影图像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布，并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散，获得一扩散投射影像；

将所述扩散投射影像应用到一临界模型，从而预测抗蚀层图形的大小。

2.如权利要求1所述的模拟方法，所述扩散投射影像由下式得到：

其中I_o是所述投射影像，F、F^-1分别代表到ξ，η空间的傅立叶变换，与从ξ，η空间的傅立叶反变换，而σ_B为一适合参数。

3.如权利要求1所述的模拟方法，其中所述酸分布是以二维来处理，而非以三维处理，使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。    

4.如权利要求1所述的模拟方法，其中所述抗蚀层厚度被决定成小于1.5μm，使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。

5.一种用于光刻工艺的模拟方法，包括的步骤有：

通过输入在化学扩大抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局，获得一投射影像；

将所述投射影像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布，并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散和扩大，获得一扩散投射影像；

将所述扩散投射影像应用到一临界模型，从而预测抗蚀层图形的大小。

6.如权利要求5所述的模拟方法，所述扩散投射影像由下式得到：

其中I_o为所述投射影像，F、F^-1分别代表到ξ，η空间的傅立叶变换，与从ξ，η空间的傅立叶反变换，而σ_B为一适合参数。

7.如权利要求5所述的模拟方法，其中所述酸分布是以二维来处理，而非以三维处理，使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。

8.如权利要求5所述的模拟方法，其中所述抗蚀层厚度被决定成小于1.5μm，使得所述投射影像被当作所述抗蚀层所产生的酸分布。